LDMOS器件相关论文
高压LDMOS（Lateral Double-diffused MOSFET）具有高耐压、高频率、工艺简单兼容于传统CMOS工艺等特性，广泛应用于高压集成电路（High Vo......
近年来，民用移动通信技术和军事雷达技术迅速发展，均对无线信号的传输和发射质量提出了更高的要求。在移动通信基站和军事雷达中，射频......
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在高压功率集成电路中,有时需要将电路的高压区域和低压区域集成在同一芯片上,为了实现高压区域和低压区域的信号传输功能,需要一......
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随着无线通信和军事新技术的发展，日益要求提高RF的性能，使之在更宽频带内，具有更高的输出功率、效率和可靠性。为了不断满足各种应用......
如何缓解功率LDMOS(Lateral Double-diffusion Metal Oxide Semiconducor)耐压与比导通电阻之间的矛盾关系,一直是业界研究的热点......
为了获得高耐压、低导通电阻的横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件,综合利用高介电常数(高k)薄膜技术和场板技术,设计出一种漂移区表面采......
本文提出了改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURF LDMOS晶体管新结构.用二维器件软件MEDICI对具有线性变化......
提出了一种用于数字电视发射机中的大功率射频功放模块的设计方案，采用平衡型放大器结构，以LDMOS器件作为功放管，给出了包括射频放大......
介绍了在第三代移动通信系统的基站中应用的LDMOS器件的现状及关键技术....
对一种采用新结构的LDMOS（lateral double diffused metal oxide semiconductor）器件建立了模型．该器件在LDMOS中采用异质双栅（dual ma......
本文从新款10kW调频立体声广播发射机的日常运行出发,结合维护经验,简要介绍其特点和正常运行的基本维护。......
固态雷达发射机的主要发展趋势是增大工作频带宽度,提高输出功率和效率,减小体积、重量,提高发射机的功率密度和环境适应性。雷达......
相对于双极型Si功率器件,LDMOS功率器件在增益、线性度、可靠性等方面具有明显的优势而且成本较低。理论分析表明,固态雷达发射系......
LDMOS器件是高压集成电路中广泛应用的高压器件，其主要的性能指标是击穿电压和导通电阻，如何从新材料、新结构、新工艺的方向来实现......
横向双扩散金属氧化物半导体(Lateral Double-diffused MOS FET,LDMOS)器件因其电极均位于器件表面,制造工艺简单等优点在功率集成......
LDMOS器件具有耐压高、驱动能力强、安全工作区宽、温度特性好、易集成等优点,广泛应用于功率集成电路中。高压LDMOS器件研究的核......
在微电子技术和电力电子技术的交叉推动下，功率集成电路（Power Integrated Circuit，简称PIC）得到迅速的发展，其应用领域也在不断扩大，目......
