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得益于晶圆减薄工艺与创新的封装,功率MOSFET在不断进步
<正>SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)是使用宽带隙半导体的新型开关功率晶体管,它们很可能会持续显著地增加功率转换效率(参考文献1)。但......
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