【摘 要】
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<正>SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)是使用宽带隙半导体的新型开关功率晶体管,它们很可能会持续显著地增加功率转换效率(参考文献1)。但是,一直表现良好的硅功率MOSFET现在占市场
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<正>SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)是使用宽带隙半导体的新型开关功率晶体管,它们很可能会持续显著地增加功率转换效率(参考文献1)。但是,一直表现良好的硅功率MOSFET现在占市场统治地位,未来很多年,这种现状仍将持续下去。今年2月5日~9日在佛罗里达州奥兰多召开的APEC(实用功率电子大会),传统上一直是最大的功率开关器件展示会,也是检验功率MOSFET技术的一个好场所。
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