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带氮化硅结构相关论文
功率VDMOS(带氮化硅结构)的UIS失效改善
功率VDMOS器件是最为普遍的开关器件。而UIS发生过程是指功率VDMOS器件在整个系统中所能承受的最严峻电应力以及热应力的考验过程,......
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