DMOS相关论文
A new semi-insulation structure in which one isolated island is connected to the substrate was proposed.Based on this se......
采用沟槽栅结构、软穿通(SPT)技术和载流子存储层技术研制出一款增强型沟槽栅型(TMOS+)3 300 V IGBT芯片,其具有更低通态压降、更......
Researching the non-uniform channel DMOS is the basic knowledge of the new generation high voltage power MOS devices and......
本文介绍了贵州广播电视台高清后期制作网对不同编码的视频质量进行综合测试的过程,同时对测试过程中出现的问题和解决方法展开讨......
介绍了数据挖掘技术（DMOS）优化软件在N-甲酰吗啉芳烃抽提装置上的具体运用过程及效果。通过收集工艺参数的历史数据,将所有相关变量......
介绍L4970A大功率单片集成开关电源芯片的内部结构、电路特点、工作原理和应用电路....
本文介绍了一种基于复杂可编程逻辑器件设计的大规模探测器前端电子学系统电路,提出了一种优化的电路设计,它的主要功能是对中国科......
LMD18245是美国国家半导体公司采用新型电流敏感技术生产的新一代DMOS全桥电机驱动器，可用于有刷直流电机或单相双极性步进电机的驱......
视频压缩编码技术在移动互联网以及移动终端设备中被广泛使用,H.264、H.265编码就是两种常见的编码格式。显而易见的是:采用过高的......
本文主要介绍了移动通信系统的语音质量评估方法,对传统语音质量评估方法的缺陷进行了阐述,并且强调了客观质量评估方法的测试实例......
DMOS软件综合运用了模式识别、支持向量机、人工神经网络、遗传算法、线性和非线性回归等多种数据挖掘技术,能有效解决复杂工业过......
TDA7295是SGS-THOMSON半导体公司生产的一款带静噪功能的DMOS高保真功率放大器.该放大器与负载有两种不同的连接方式,并具有优良的......
基于规范化分段线性模型技术,建立了高压DMOS器件的SPICE宏模型用于功率集成电路的仿真.从等效电路模型出发,利用Powell算法找到规......
本文详细阐述了视频链路测试的原理、方法和手段,剖析了数字电视最新动态图像测试技术,提出了链路质量量化分级的工程实例,对全面......
提出了DMOS器件的二维电荷阈值电压模型.基于沟道区杂质的二维分布,求解泊松方程,得到沟道区中耗尽电荷总量,给出DMOS二维阈值电压......
目的对比针刺和PNF 对田径运动后出现的DMOS 的疗效,观察针刺对DMOS 的影响.方法：60 名男性大学生分为针刺组和PNF 组,给予一次性大......
介绍了电源和功率管理集成电路市场,描述了低压差(LDO)电压调节器技术的发展进程和未来趋势;对国内外LDO产品和技术现状进行了比较......
提出了一种DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型.基于沟道杂质的非均匀分布,借助镜像法,导出辐照正空间电荷与沟道电离杂质的二维场和......
本文简要介绍了由上海贝尔开发的新一代S12模拟用户板用户线接口专用集成电路CSLIC；该电路是采用DBIMOS工艺的数模混合电路，结合了耐......
本文综述了亚微米、深亚微米集成电路工艺的主要特点、关键工艺及其实现方法，涉及高低压混载CMOS、DMOS、E^2PROM工艺。......
提出了一种由DMOS场效应管构成的电荷灵敏前置放大器，可用于硅，Si（Li），CdZnTe及CsI探测器。该前置放大器采用不同于传统的阻容反馈式的......
本文介绍了贵州广播电视台高清后期制作网对不同编码的视频质量进行综合测试的过程,同时对测试过程中出现的问题和解决方法展开了......
锂离子单电芯电压的精确测量是锂离子电池组电池管理系统所必备的重要功能,本研究探讨多个合适的锂离子单电芯电压测量电路,如分压......
飞速增长的单芯片智能功率集成电路(SPIC)市场,极大地推动了BCD工艺的发展。文章简要论述了BCD集成电路技术给智能功率IC带来的优......
集成电路技术的进步日新月异,自20世纪70年代以来,它一直遵循摩尔定律,即每两年集成度增加4倍,成本降低一半,集成电路的特征尺寸也......
根据数字电视图像质量主观评价方法相关标准，设计了视频图像质量主观评价辅助系统，并将系统应用于多种新媒体的图像质量评价，研究视频......
期刊
非箝位电感开关过程（UIS）引起的器件失效是DMOS器件应用过程中最主要的失效形式，雪崩耐量是衡量DMOS器件UIS特性的一个重要参数，提高DM......
在发展髙性能多路小型化前端电路方面,阐述了一种用于测试时间的系统电路的设计与实现。其突出特点是转换速度快,电路结构简单,输......
碳化硅(Silicon Carbide)半导体材料凭借临界击穿电场高、热导率高、热载流子饱和漂移速度高、抗辐照能力强等特点,已经成为国际功......
本文主要是研究沟槽结构的功率管理器件DMOS中晶圆基材、绝缘层材料、工艺流程缺陷和设计的布局结构对其可靠性的影响。沟槽结构的......
功率VDMOS器件是最为普遍的开关器件。而UIS发生过程是指功率VDMOS器件在整个系统中所能承受的最严峻电应力以及热应力的考验过程,......
