开关损耗与延时相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

开关损耗与延时相关论文

一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动设计

由于传统驱动下碳化硅(SiC)MOSFET受高开关速度特性及寄生参数影响,桥臂串扰现象更加严重,而现有抑制串扰驱动电路又往往会增加开......

期刊

SIC MOSFET 串扰抑制门极驱动辅助支路开关损耗与延时 SiC MOSFET crosstalk suppression gate driver a

看过本文同时还关注