门极驱动相关论文
近年来，日益复杂的工况和应用环境对电力电子装置的功率密度、功率容量、效率和可靠性等综合性能提出了更加苛刻的要求，研发具有高频......
大多数热插拔系统都存在一些内在的故障机理，其中一个是功率FET的安全工作区(SOA)问题。在某些情况下，即使器件在制造商认定的SOA曲......
本文针对电子技术中广泛应用的MOSFET驱动,设计了门极驱动变压器电路方案,阐述了变压器驱动MOSFET的优势,着重对设计电路中关键物......
在2 kVA高频在线式UPS主功率电路的设计调试中,针对桥臂功率管MOS门极干扰的实际情况,采取了在门极串联电阻上反并二极管和门极关......
集成门极换向晶闸管(IGCT)是一种新开发的用于功率变换的新型大功率开关器件，由于采用了缓冲结构以及浅层发射极技术，因而使动态损耗......
由于传统驱动下碳化硅(SiC)MOSFET受高开关速度特性及寄生参数影响,桥臂串扰现象更加严重,而现有抑制串扰驱动电路又往往会增加开......
绝缘栅双极型晶体管IGBTs（insolatedgatebipolartransistor）串联应用实现的关键在于动态均压。首先。从理论上分析了传统IGBT控制电......
叙述了具有集成驱动、保护和系统控制功能的智能功率模块FSBB20CH60。实现了一种基于FSBB20CH60的高性能隔离驱动的功率模块。将该......
新型碳化硅功率半导体器件在近些年来发展迅速,获得越来越多的关注。相较于传统硅器件,碳化硅器件由于材料属性在电压等级、开关速......
集成门极换流晶闸管(IGCT)是一种用于功率变流的先进的大功率半导体开关器件,它将有利于变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率......
将绝缘栅双极型晶体管（IGBT）关断过程分解为多个阶段,对IGBT关断过程中电压上升和电流下降采取分阶段电容耦合反馈从而独立控制dv/dt......
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）串联技术是提高大功率电力电子设备电压等级与容量的有效方法,而其应用的关键在于保证瞬态电压的平衡。为......
以碳化硅(SiC)为代表的新型电力电子器件为提高电机驱动系统的效率和功率密度带来了新的机遇,也为包括航空航天、船舶推进在内的交......
基于三相／单相矩阵变换器的主电路拓扑及正弦脉宽调制（SPWM）控制技术，提出了一种新的门极驱动策略。该策略综合了开关函数及SPWM信息，具......
<正>由《今日电子》杂志和21I C中国电子网举办的年度电源技术研讨会如期召开。在本次大会上,各种新技术和新方案让观众目不暇接。......
因为IGBT兼具MOSFET压控门级驱动特性和双极型晶体管的大电流、低导通压降特性而被广泛应用于中高功率、中低频率变流器中。为了提......
根据改变IGBT门极驱动电阻可以改变其开关速度的特性,设计出通过改变门极驱动电阻使IGBT串联有效均压的一种方案.此方案利用三极管......
设计了并网逆变器以及电力电子变压器中SiC MOSFET功率器件的驱动电路,搭建了用于测试驱动电路的双脉冲测试平台,并且介绍了谐振门......
电动汽车是当今最热门的词汇,而电动汽车的发展也是国家十三五规划的重要项目。新能源汽车电力驱动的主体是电机控制器,大功率IGBT......
为了解决GaN MOSFET门极驱动的高损耗问题,对比分析了传统驱动和谐振门极驱动电路,提出一种新型谐振门极驱动电路,通过建立数学模......
在电力电子技术课程教学中引入仿真环节,能够有效提高教学质量。相对于变流电路的原理性知识而言,电力电子技术课程教学的重点更应......
为了抑制大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的关断电压尖峰,提出了一种有源门极控制方法及其优化方法。该控制方法采用电容反馈关断......
介绍了ABB对Hi Pak 6500V/750A IGBT模块反向恢复特性的研究,首创性地就di/dt对二极管和与之反向并联的IGBT的正、反向恢复特性的......
叙述了智能功率模块FSBB20CH60，对其实施了隔离式的外驱动设计。实现了一种高性能功率模块。将其应用于变频空调，降低了成本，提高了可......
为解决绝缘栅双极性晶体管(IGBT)在实际应用中的驱动电路问题,采用汽车级功率驱动芯片1ED020I12FTA对IGBT的保护、驱动电路进行了......
论述PFM(Pulse Frequency Modulation)脉冲频率调制型X光机电源的原理及系统构成。其主要功率器件选用目前国际上最先进的IGBT绝缘......
介绍直流电机调速控制器的原理及其系统构成.其主功率开关器件选用绝缘栅控双极型晶体管——IGBT.控制电路采用速度(或电压)、电流......
IPM(智能功率模块,IntelligentPowerModules)是为满足应用及市场需求,IGBT芯片为主体,将这种芯片及其门极驱动、控制和过流、过压......
ＭＯＳ控制晶闸管（ＭＣＴ）的特性、驱动及应用Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ，ＤｒｉｖｅａｎｄＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｏｆＭＣＴ￥／／西安电力电子技术研究所俞苹１国内外ＭＣＴ研制发展现状本刊１９９０年第四期曾介绍过ＭＣＴ的基本结构、工作原理及与其它......
分析了IGBT的工作特点及其对门极驱动器提出的新要求,并通过对当前主流门极驱动器供应商的产品的举例分析,对门极驱动技术的现状和......
