异质结发光二极管相关论文
ZnO作为一种典型的第三代半导体,凭借其3.37 e V的禁带宽度和60 me V的室温激子束缚能,成为非常有潜力的短波长半导体发光器件的候......
ZnO是一种透明氧化物半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37eV。通过向ZnO中掺入Cd元素得到ZnCdO合金,可以有效减小ZnO的禁带宽度,从......
作为新一代Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙半导体材料,ZnO具有十分优异的光电性能。ZnO的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,远高于GaN的25......
氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙半导体材料,室温下带隙宽度3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,在室温下即可获得高效的紫外激子发光。然......
鉴于当前所制备ZnO材料的质量还达不到器件级水平,尤其是p型掺杂问题没有得到很好地解决,以及制作得到的ZnO基发光器件效率过低等......
ZnO是一种多功能的直接带隙宽禁带(3.37eV)半导体材料,其激子束缚能为60meV,因而在室温下具有高效的激子发射。在发光二极管、半导......
