等离子体辅助分子束外延相关论文
采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)技术制备InN薄膜。为了缓解晶格失配所带来的应力及非故意生成的多晶层影响，在衬底和低温I......
ZnO是一种直接带隙的半导体材料，室温下能隙宽度为3.37 eV，激子束缚能高达60 meV。自从日本和香港的科学家在1997年首次实现了室温光......
ZnO是一种直接宽带隙的半导体材料(禁带宽度为3.37 eV)，在室温下有很高的激子束缚能(60 meV)，外延生长温度低，抗辐射能力强。通过Mg的......
氧化锌作为一种重要的具有六方结构的 II-IV 族宽带隙(3.3eV)半导体材料，由于具有较高的激子束缚能高(60meV)，在室温下容易获得强的......
近几年，ZnO基半导体材料作为紫外光电子应用方面有前途的候选材料而成为光电子领域研究的热点。要获得高性能光发射器件，关键技术之......
在Si(111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)生长氧化锌(ZnO)薄膜,研究了在不同衬底生长温度下(350～750℃)制备的ZnO薄膜的......
期刊
报道了利用等离子辅助分子束外延技术 ,在蓝宝石 c平面上外延生长的 Mgx Zn1 - x O单晶薄膜以及 Mg Zn O/Zn O异质结构的光学性质 ......
利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜.为改善生长后样品的质量,把样品解理成三块后,在不同温度下氧......
利用等离子体辅助分子束外延（P-MBE）的方法，在c平面的蓝宝石衬底上制备了高质量的MgxZn1-xO合金薄膜。通过改变Mg源的温度，得到了不同M......
利用等离子体分子辅助分子束外延设备在蓝宝石衬底上通过改变生长温度,得到了不同的ZnMgO合金薄膜。研究了衬底温度对ZnMgO的结构......
报道了利用等离子辅助分子束外延技术，在蓝宝石c平面上外延生长的MgxZn1-xO单晶薄膜以及MgZnO／ZnO异质结构的光学性质．室温下随着Mg浓......
利用等离子体辅助分子束外延（P-MBE）设备在蓝宝石衬底上通过改变生长温度,制备了不同的ZnO样品。研究了衬底温度对ZnO的结构、光学和......
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ZnO 是一种直接带隙的半导体材料,室温下能隙宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV。自从日本和香港的科学家在1996 年首次实现了室......
氧化锌(ZnO)作为一种直接宽带隙半导体材料,室温下带隙宽度3.37 eV,激子束缚能高达60meV,在室温下即可获得高效的紫外激子发光和激......
氧化锌（ZnO）是一种具有六角纤维锌矿结构、直接宽带隙半导体材料。ZnO材料室温下的带隙宽度为3.37 eV,另外,ZnO还具有较大的激子结合......
学位
ZnO作为一种直接禁带半导体材料,具有3.37eV的禁带宽度以及60meV的激子束缚能,在短波长光电器件中具有非常大的应用潜力。ZnO基光......
作为一种直接宽带隙半导体材料,氧化锌(ZnO)在室温下的带隙宽度为3.37eV,并具有高达60meV的激子束缚能,有望在室温乃至更高温度下......
氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙半导体材料,室温下带隙宽度3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,在室温下即可获得高效的紫外激子发光。然......
利用等离子体辅助分子束外延设备(P-MBE)在m面的蓝宝石(m-Al2O3)衬底上制备了ZnO/Zn0.85Mg0.15O多量子阱.反射式高能电子衍射谱(RH......
本文利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)技术在蓝宝石 (Al2O3) 衬底上生长了Mg0.12Zn0.88O(100nm)/ZnO (20nm) /Mg0.12Zn0.88O (40......
AlGaN材料在光电子和微电子领域都有着重要地位，可被用于紫外发光二极管、紫外激光二极管、紫外探测器和高迁移率晶体管（HEMT）等器件......
