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归一化刻蚀速率相关论文

CF4／Ar等离子体刻蚀中入射角对SiO2刻蚀速率的影响

在CF4/Ar的感应耦合等离子体中,用"法拉第筒"式的方法研究了SiO2刻蚀速率与不同离子入射角度之间的关系.在所施加的-20～300V射频偏......

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感应耦合等离子体法拉第筒归一化刻蚀速率入射角 SIO2 inductively coupled plasma normalized etching rat

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