感应耦合等离子体相关论文
针对电感耦合等离子体（ICP）的放电问题，设计了一种闭式透波腔体构型，建立了ICP的流体力学模型，并利用多物理场仿真平台COMSOL进行三维仿......
感应耦合等离子体（ICP）由于无电极烧蚀污染、等离子体环境纯净，在制备高纯度陶瓷材料涂层上具有明显的技术优势。该文利用自主研制的......
随着透镜等光学器件在光电民用产品、天文观测系统、高能激光系统中的广泛应用,传统光学加工技术已无法满足其低成本、高效率、无......
利用质谱仪对不同进气速率下的氩气、氮气及氮-氘混合三种射频感应耦合等离子体的离子能量分布、离子浓度演化进行了研究.实验结果......
二氧化钛具有较好的紫外线掩蔽作用,常作为防晒剂掺入纺织纤维,被认为是目前世界上性能最好的一种白色颜料.本文以制备高性能球形T......
采用感应耦合等离子体增强化学气相沉积(ICPECVD)成功地制备了硬质类金刚石薄膜.对沉积获得的类金刚石膜进行努氏显微硬度测量及傅......
介绍了国内外关于微孔深通道列阵的研究工作进展,给出了初步实验结果,指出了传统工艺中从未遇到的新现象和新问题,提出了解决问题......
利用电感耦合等离子体(ICP)增强射频磁控溅射技术在Si(111)片和M2钢表面制备了ZrN薄膜。研究N2流量在0.5～1.0sccm范围内ZrN薄膜的结......
中性束加热(NBI)系统是磁约束聚变装置的重要组成部分,能极为有效率地把等离子体加热到发生聚变反应所需温度.离子源是其中的核心......
简单介绍了ICP(inductively coupled plasma)刻蚀的基本原理,深入研究不同的工艺参数对于InP 端面刻蚀的影响,同时报道了ICP刻蚀技......
采用Cl2/Ar感应耦合等离子体(ICP)对单晶硅进行了刻蚀,工艺中用光刻胶作掩膜。研究了气体组分、ICP功率和RF功率等工艺参数对硅刻......
采用Cl2/He对GaN基片进行感应耦合等离子体刻蚀,并比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar对GaN基片进行刻蚀的优劣.实验中通过改变ICP......
An inductively coupled radio frequency ion source has been developed and its extraction characteristics measured.Beam cu......
在近年来,人们在工业生产的等离子体辅助工艺中,在极板上外加偏压得到了广泛地应用。以此可以获取更高的离子轰击能量,并且可以用......
给出了一种感应耦合等离子体源的设计,用于等离子体中和枪装置.通过实验方法研究等离子体源的电子引出特性,并结合理论分析了等离......
针对等离子体隐身中机载小型化射频电源在阻抗匹配网络的匹配速度慢和匹配精度低的问题,提出了一种新的阻抗匹配优化算法。通过分......
本文分析了大功率感应耦合等离子体无极灯的灯管材料与工艺,汞齐材料与结构,填充气体与功率稳定性,电磁和热处理等关键技术,指出了......
基于微机械电子系统(MEMS)技术和硅材料的压阻效应,研制了一种具有对称梁膜结构的硅微加速度传感器.结合四甲基氢氧化铵(TMAH)各向......
利用标准光刻和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了直接连接一个输出波导的微柱激光器,并且用BCB进行了包裹。对于直径为15......
硅纳米线工艺是制造纳米级围栅MOSFET的关键环节。研究了一种采用自上而下方案制造垂直硅纳米线的工艺技术。利用传统光刻技术......
本文选取聚甲基丙烯酸甲酯。甲基丙烯酸环氧丙酯(P(MMA-GMA))作为波导材料，利用有效折射率法计算了倒脊形波导单模传输条件，根据......
本文介绍了一种用于密集波分复用系统的深刻蚀高密度熔融石英光栅的设计和制作过程。感应耦合等离子体刻蚀技术(ICP)被用来制作这......
本文首次采用Cl2/CH4/N2作为刻蚀气体,系统地研究了感应耦合等离子体干法刻蚀过程中工艺参数对InP材料端面刻蚀的影响.通过优化工......
本文对于在Spindt型场发射阵列阴极制作过程中,应用高密度感应耦合等离子体(InductivelyCoupledPlasma)作为微细加工手段,进行了理......
掩模制备是X射线光刻的核心技术,电路设计图形的精确加工和曝光后高反差的形成是掩模制备的最终要求和目标.本文作者选用了Ta作吸......
该文利用MEMS加工技术制作了微通道,为微流体的实验研究奠定了坚实的基础.通过对微流体特征问题的分析,设计了微流体压力检测实验......
高密度深刻蚀光栅表现出了有用的光学功能，例如偏振分束和1×2分束。这里，高密度表示周期具有波长量级或者亚波长量级，深刻蚀表示深度......
感应耦合等离子体源（Inductively Coupled Plasma Source, ICPS）是低气压下产生大面积、均匀稳定等离子体的一种重要方式。目前已被......
随着MEMS技术在更多的领域中需要应对更多的需求，如生物领域的可靠性、兼容性;恶劣环境中的抗辐射、抗高温高压、抗冲击等等，新兴的......
基于图形化蓝宝石衬底(Patterned Sapphire Substrate,PSS)技术可以降低氮化镓(Gallium Nitride,GaN)外延层缺陷密度,提高发光管二......
随着社会经济的不断发展，能源和环境的问题越来越突出，人们迫切要求发展可再生、无污染、低成本的清洁能源来改善现在的能源结构。太......
在目前的MEMS加工工艺中，感应耦合等离子体(ICP)深刻蚀工艺是一项独具特色并且具有广泛应用前景的工艺技术。随着MEMS技术在更多的......
砷化镓纳米线阵列由于其独特的光学和电学性能,以及其在纳米电子学,纳米光学和纳米电池等领域上的相关研究,已引起了广泛的关注。......
本实验采用自制Langmuir探针和发射光谱对柱面射频感应耦合氩气等离子体进行了诊断。实验中，研究了在线圈之间什么也不加时等离子体......
在近年来，人们在工业生产的等离子体辅助工艺中，在极板上外加偏压得到了广泛地应用。以此可以获取更高的离子轰击能量，并且可以用此方......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
针对集成电路注入设备对等离子体大面积、高密度和良好均匀性的要求,利用CFD-ACE仿真软件对1500 mm×1500 mm大面积感应耦合等离子......
采用金属Ni作为掩膜,Cl2/BCl3作为刻蚀气体,利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)技术对Ga As HEMT背孔工艺进行研究。本文详细研究了ICP......
提出了一种新的基于流体模型的波干涉电子密度(ne)诊断方法,在高/低气压条件下分别开展了闭式石英腔体内的氩气感应耦合等离子体放......
设计了一种雷达舱共形的电感耦合等离子体(ICP)发生装置,开展了ICP放电的流体模型研究,获得在高低气压及不同放电功率对ICP的电子......
基于GaAs器件干法刻蚀工艺,介绍感应耦合等离子(ICP)的刻蚀原理,以Cl2和BCl3为刻蚀气体,研究分析了在GaAs表面刻蚀工艺中不同的腔......
使用朗谬尔探针方法研究了低压CF4气体感应耦合等离子体(ICP)的放电特性.结果表明,CF4等离子体的电子呈现双温分布:一类是密度低、......
基于感应耦合等离子体的变压器模型,分析了感应耦合等离子体的功率耦合效率与线圈配置(几何尺寸、电学参量)及等离子体基本参量(等......
