感应耦合等离子体相关论文
针对电感耦合等离子体（ICP）的放电问题，设计了一种闭式透波腔体构型，建立了ICP的流体力学模型，并利用多物理场仿真平台COMSOL进行三维仿......
感应耦合等离子体（ICP）由于无电极烧蚀污染、等离子体环境纯净，在制备高纯度陶瓷材料涂层上具有明显的技术优势。该文利用自主研制的......
随着透镜等光学器件在光电民用产品、天文观测系统、高能激光系统中的广泛应用,传统光学加工技术已无法满足其低成本、高效率、无......
简单介绍了ICP(inductively coupled plasma)刻蚀的基本原理,深入研究不同的工艺参数对于InP 端面刻蚀的影响,同时报道了ICP刻蚀技......
采用Cl2/Ar感应耦合等离子体(ICP)对单晶硅进行了刻蚀,工艺中用光刻胶作掩膜。研究了气体组分、ICP功率和RF功率等工艺参数对硅刻......
采用Cl2/He对GaN基片进行感应耦合等离子体刻蚀,并比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar对GaN基片进行刻蚀的优劣.实验中通过改变ICP......
在近年来,人们在工业生产的等离子体辅助工艺中,在极板上外加偏压得到了广泛地应用。以此可以获取更高的离子轰击能量,并且可以用......
给出了一种感应耦合等离子体源的设计,用于等离子体中和枪装置.通过实验方法研究等离子体源的电子引出特性,并结合理论分析了等离......
针对等离子体隐身中机载小型化射频电源在阻抗匹配网络的匹配速度慢和匹配精度低的问题,提出了一种新的阻抗匹配优化算法。通过分......
感应耦合等离子体源（Inductively Coupled Plasma Source, ICPS）是低气压下产生大面积、均匀稳定等离子体的一种重要方式。目前已被......
砷化镓纳米线阵列由于其独特的光学和电学性能,以及其在纳米电子学,纳米光学和纳米电池等领域上的相关研究,已引起了广泛的关注。......
本文以加速寿命试验和失效分析为主要研究手段，对GaN LEDs器件退化机理进行了比较深入的研究，并对一些关键工艺提出了改进措施。主要......
本实验采用自制Langmuir探针和发射光谱对柱面射频感应耦合氩气等离子体进行了诊断。实验中，研究了在线圈之间什么也不加时等离子体......
提出了一种新的基于流体模型的波干涉电子密度(ne)诊断方法,在高/低气压条件下分别开展了闭式石英腔体内的氩气感应耦合等离子体放......
设计了一种雷达舱共形的电感耦合等离子体(ICP)发生装置,开展了ICP放电的流体模型研究,获得在高低气压及不同放电功率对ICP的电子......
基于GaAs器件干法刻蚀工艺,介绍感应耦合等离子(ICP)的刻蚀原理,以Cl2和BCl3为刻蚀气体,研究分析了在GaAs表面刻蚀工艺中不同的腔......
使用朗谬尔探针方法研究了低压CF4气体感应耦合等离子体(ICP)的放电特性.结果表明,CF4等离子体的电子呈现双温分布:一类是密度低、......
科学技术正在渗透和改变人们生活中的方方面面，尤其是在侦破案件方面，科技更是起到了举足轻重的作用。视网膜扫描、微量物证分析等等......
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是一种新的干法刻蚀技术,具有刻蚀速率高和各向异性刻蚀等优点,并且能够独立控制等离子体密度和自......
利用Cl2/BCl3/CH4电感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术,实现了对AIGaInAs,InP材料的非选择性刻蚀.AlGaInAs与InP的刻蚀速率分别为......
1二次感应耦合等离子体无极灯摘要：本发明是关于一种二次感应耦合等离子体无极灯，包括二次感应耦合灯管，耦合器，启动装置，二次感应耦合......
利用强度标定的发射光谱法 ,研究了感应耦合CF4 CH4 等离子体中空间基团的相对密度随宏观条件 (射频输入功率、气压和流量比 )的......
采用光谱诊断法和Langmuir单探针法对射频感应耦合Ar气等离子体特性进行分析.通过光栅光谱仪研究了低气压下Ar气等离子体的光谱强......
分别通过Langmuir探针测量和动力学模型模拟方法研究了射频感应耦合Ar-N2等离子体中电子能量分布、电子温度、电子密度等物理量随N......
感应耦合等离子体发生器是"临近空间高速目标等离子体电磁科学实验研究装置"的核心部件之一,常用于模拟高焓高速等离子体鞘套环境,......
以CH4／H2／Ar为刻蚀气体，对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体（ICP，inductivelycoupledplasma）刻蚀。研究了不同偏压......
感应耦合等离子体（ICP）刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用，初步研究了Cl2／Ar／BCl3ICP刻蚀对A1GaN材料的损伤。运用X射线光......
采用SF6+O2作为刻蚀气体,对单晶6H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺进行了研究。分析了光刻水平、ICP功率、偏置电压等工......
采用了不同条件的等离子体(O2,Cl2)对p-GaN样品进行刻蚀,然后通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、阴极荧光谱(CL)、......
台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构，分析比较了两种台面制作的方法，即选择性湿法腐蚀......
用Langmuir探针对射频（13．56Mnz）感应等离子体进行了诊断，给出了Ar等离子体轴向和径向参数随气压的变化。采用发射光谱测量了等离子体......
为研究感应耦合等离子体（ICP）刻蚀机工艺腔室结构对流场特性的影响,采用回归正交设计方法对腔室半径、腔室高度、进气口半径以及进气......
介绍了ICPE法工艺的基本原理及其设备的基本结构。分析了影响ICP工艺刻蚀速率的主要因素。根据多年维修经验,分析总结了ICP设备常......
感应耦合等离子体技术以其低气压下产生高密度等离子体的能力及良好的可扩展性成为微细加工中的重要的加工技术之一.本文提出了一......
感应耦合等离子体(ICP)是微电子工业刻蚀高精度沟槽结构的首选高密度等离子体源.研究ICP的电特性与等离子体电学参量的变化显得非......
采用C12＋Ar作为刻蚀气体进行了单晶4H-SiC材料的感应耦合等离子体（ICP）刻蚀工艺研究，分析了气体流量、气体混合比、反应室压力、1CP功......
为研究感应耦合等离子体（ICP）刻蚀机腔室与线圈结构以及工艺参数对等离子体分布均匀性的影响，基于商业软件CFD-ACE＋中等离子体与电磁场......
采用感应耦合等离子体刻蚀技术,以CF4/Ar/O2为反应气体对熔石英元件表面进行修饰,研究并分析了CF4和Ar流量对刻蚀速率、熔石英表面......
为探究轴向磁场对纯Ar感应耦合等离子体放电模式转换的影响,设计并搭建一整套等离子体产生装置展开实验研究,引入阻抗分析法对放电......
基于变压器模型,本文对感应耦合等离子体中线圈产生的空间电场分布、等离子体电阻、电感及功率耦合效率等进行了数值计算.在计算过......
在CF4/Ar的感应耦合等离子体中,用"法拉第筒"式的方法研究了SiO2刻蚀速率与不同离子入射角度之间的关系.在所施加的-20～300V射频偏......
用实验方法研究了在感应耦合等离子体(ICP)的干法刻蚀过程中,工艺参数对刻蚀速率的影响.研究结果表明,刻蚀速率随SF6气体流量、自......
半导体工业领域中，CCP，即容性耦合等离子体（Capacitively CoupledPlasmas）和ICP，即感应耦合等离子体（Inductively Coupled Plasmas）被广泛......
为了获得用于研究再入飞行器热防护系统的感应耦合等离子体风洞流场数据,基于流场、电磁场和化学场的多场耦合建立了非平衡态感应......
通过不同感应耦合等离子体刻蚀条件下进行的玻璃基板发生光刻胶变性的位置,研究光刻胶变性与下部电极结构的相关性。研究结果表明:......
利用取之不尽的海水中氢的同位素进行磁约束受控热核聚变,由此获取的聚变能被认为是人类可利用的终极清洁能源,人类正朝着这一目标......
本文简要地介绍了等离子体的产生方式以及传统的射频电容耦合等离子体源.对电子回旋共振等离子体(ECR),感应耦合等离子体(ICP),螺......
