采用热蒸发法,在硼掺杂p型金刚石膜(p-diamond)上生长高取向的ZnO纳米棒(NR)(图a,b),并制作出n-Zn ONR/p-diamond异质结(图c插图为......

研究了金属有机电双稳薄膜材料Ag(TCNQ)在STM针尖下的电特性,观察到在纳米尺度下Ag(TCNQ)从高阻态跃迁到低阻态的微分负阻现象,阻......

采用优化ESD注入条件改善了NMOS器件结构.对该亚微米ggNMOS ESD防护电路单元进行了传输线脉冲TLP法测试.测试结果表明,优化后的多......

研究了金属有机电双稳薄膜材料Ag(TCNQ）在STM针尖下的电特性，观察在纳米尺度下Ag(TCNQ）从高阻态跃迁到低阻态的微分负阻现象，阻态间的......

负阻器件共振隧道二极管RTD和局部有源的忆阻器两者均在I-V特性上具有微分负阻NDR特性且具有多种阻态。根据该特性,研究并设计了基......

在I-V特性曲线上具有双微分负阻的三稳态共振隧穿器件，室温下可以达到较高的电流峰谷比5．2：1。器件采用两个隧穿二极管背靠背串联的结......