碰撞电离相关论文
绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（Silicon-On-Insulator Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor,SOI-LIGBT）器件因其耐压能力......
为研究空间环境中通用航天器表面覆盖的热控层电磁辐照效应,采用粒子模拟(PIC)和蒙特卡罗(MC)模拟相结合方法,建立了真空环境下电......
阐述了当前硅量子点(QDs)太阳电池的发展概况。介绍了量子限制效应引起的碰撞电离和多激子产生现象,分析了硅量子点太阳电池设计理......
近些年来碳化硅(SiC)材料已经成为了功率半导体行业的一个研究热点,SiC功率MOSFET器件更是被广泛应用于工作在高压、高频尤其是高......
原子和分子的非序列双电离过程包含了两个电子之间的关联信息,因此原子与分子非序列双电离现象是强场物理研究的一个重要分支。与......
一、金属中的电流 金属中的自由电子定向移动形成电流.自由电子定向移动的速率与导体中的电流强度、横截面大小以及自由电......
本文提出一种在激光等离子体中产生高丰度高电荷态离子的新途径，即通过共振光激发和碰撞电离混合过程来实现．模型计算表明，这一混合过......
采用优化ESD注入条件改善了NMOS器件结构.对该亚微米ggNMOS ESD防护电路单元进行了传输线脉冲TLP法测试.测试结果表明,优化后的多......
超大规模集成电路的迅速发展,迫切要求提高整个电路系统及单个器件的性能与可靠性,这是因为集成电路是由元器件组成的,单个器件的......
该文利用全相对论的扭曲波玻恩交换近似方法对电子与高Z高电荷态离子碰撞电离开展了研究.同时,考虑到惰性元素的离子的电子碰撞过......
本论文的主要部分是从理论上研究在线形极化的激光外场下，快正电子(电子)碰撞氢原子电离过程。内容涉及无场时(e,2e)过程基础知识，激......
针对不同波段的碲镉汞红外探测器在探测高温目标情况下的特性进行了研究。测量结果显示随着所探测目标温度的不断升高,器件光生电......
对GaAs光导开关非线性工作时,负微分迁移率和碰撞电离的作用进行了数值分析,给出了考虑和未考虑碰撞电离作用时的外电路电流输出波......
研究了场板终端技术对改善MOSFET栅下电场分布和碰撞电离率的作用,结果表明,MOSFET在高压应用时,漏极靠近表面的PN结处电场最强,决......
重点研究了多级倍增超晶格InGaAs雪崩光电二级管(APD)的增益和过剩噪声,建立了新的载流子增益-过剩噪声模型。在常规弛豫空间理论......
本文在一级Born近似下,研究了激光场中正电子对基态氢原子的碰撞电离反应,并与入射粒子为电子的(e,2e)反应进行了对比.激光场中正......
激光照射下光学材料的损伤过程中,导带电子的加热和碰撞电离是非常重要的过程,影响着导带电子的产生、晶格能量的沉积和破坏.分析......
期刊
提高射频功率器件的鲁棒性有利于增强器件的抗静电放电能力和抗失配能力.为了直观地了解器件内部发生的电学过程,本文研究了高鲁棒......
本文在一级Born近似下,研究了激光场中正电子对基态氢原子的碰撞电离反应,并与入射粒子为电子的(e,2e)反应进行了对比。激光场中正......
研究了气体放电中的等离子体状态形成的规律,通过快速傅里叶变换和Matlab软件对不同间距下的纳秒脉冲波形进行了处理,发现等离子振......
探讨了金属氧化物半导体场效应管超薄氧化门在等离子体加工中造成的充电损伤机理,应用碰撞电离模型解释了超薄氧化门对充电损伤比......
分析了高增益砷化镓光导开关中载流子的碰撞电离现象,阐明了光致电离效应和转移电子效应高场畴的意义,揭示了电子雪崩域形成的充分......
在质心参考系中研究了激光场中1 MeV质子对基态氢原子的碰撞电离过程. 靶原子的缀饰波函数由含时间微扰论给出, 末道出射电子态用......
旁栅效应是制约GaAs器件及电路性能的有害寄生效应.文中理论推导并实验研究了旁栅阈值电压VthSG与旁栅距LSG的关系,发现VthSG与LSG......
研究了ETOXTM结构FLASH memory单元器件在VFG≈VD/2的热载流子写入应力条件下,衬底负偏置对单元器件耐久性退化的影响.结果表明：在......
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制备和表征了p-i-n型的GaN基雪崩探测器。器件在-5 V下的暗电流约为0.05 nA,-20 V下的暗电流小于0.5 nA。响应增益-偏压曲线显示,......
在惯性（磁）约束聚变（ICF/MCF）、激光等离子体物理、X射线激光、天体物理等涉及等离子体物理的研究中，准确的温度信息是等离子体辐射输运......
分析了冷阴极潘宁离子源中氢的碰撞电离过程,定性讨论了电磁场强弱、压强大小对氢电离的影响,并阐述了电极材料的特性及选用方法,......
针对严重制约强流加速器能量向高功率微波高效转化的脉冲缩短现象,设计了一种吉瓦级、紧凑型、同轴引出电子束相对论返波振荡器（RBW......
从电子密度速率方程出发。建立短脉冲激光辐照下SiO2材料中导带电子增长简化模型。计算了SiO2中光致电离速率和电子雪崩速率．得到Si......
基于Pokker-Planck方程,建立一个描述短脉冲激光作用下电介质材料中导带电子能量分布随时间变化的模型,用数值方法计算电子能量分......
运用系宗蒙特卡罗法计算了强THz场作用下,n型掺杂的GaAs和InSb中随时间变化的散射机制以及载流子非线性动力学演变,获取了电子散射......
信号电荷在电荷载流子倍增寄存器中的强场下，吸收电场能量激发碰撞电离过程。电子碰撞电离过程激发的电子-空穴对具有独立性和随机......
电子倍增电荷耦合器件(简称EMCCD),是一种新型全固态微光夜视器件。近年来英美等国在电子倍增技术上取得了很大进步,使用全固态倍......
针对标准体硅在CMOS和PD SOI CMOS两种工艺下的nMOSFETs,研究了沟道长度和宽度缩减对热载流子效应的影响.实验结果表明,在两种工艺......
采用双载流子模型的二维(2D)数字计算模拟了GaAsMESFET的雪崩击穿。模拟中包括了由碰撞电离而产生的电子-空穴对,而且还采用了GaAs......
着重介绍了高灵敏度电子倍增CCD的发展现状。在固体成像器件中嵌入可控的全固态电荷雪崩倍增寄存器,使信号电荷在读出过程中得到雪......
随着能源危机的日益严峻和绿色发展理念的逐步推广，太阳能的利用在当前受到了世界范围的重视。光伏应用的推广和普及有赖于太阳电池......
报道在脉宽50fs—22ps,波长800nm脉冲激光作用下的空气电离阈值的研究结果.利用探测等离子体发光信号的方法,实验测量了激发空气电......
运用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法模拟了ZnS材料电子的输运特性。模拟采用非抛物面多能谷模型描述能带结构,该能带结构包含导带的两......
学位
<正> 日光灯作为一种理想的光源,已进入千家万户。它具有光效高、显色性好、光线柔和及使用寿命长等许多优点,正被广泛使用。关于......
<正> 一、引言为了提高 MOS 集成电路的工作速度和集成密度,以往多采用等比例缩小方法。然而当 MOS 器件的尺寸缩小到一定程度后,......
测量了应力前后GaAs PHEMT器件电特性的退化，指出了GaAs PHEMT阈值电压的退化由两个原因引起，栅极下AlGaAs层深能级的空穴积累可以解......
