碰撞电离相关论文
绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（Silicon-On-Insulator Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor,SOI-LIGBT）器件因其耐压能力......
为研究空间环境中通用航天器表面覆盖的热控层电磁辐照效应,采用粒子模拟(PIC)和蒙特卡罗(MC)模拟相结合方法,建立了真空环境下电......
文中通过对器件栅极施加正向直流电压应力,研究F离子注入增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在正向栅偏置下的退化机制.......
本文基于阴极爆炸电子发射和电子对气体的碰撞电离模型,用PIC粒子模拟方法研究了单间隙气体放电的物理过程.给出了在1.33×10Pa氢......
应用程函近似的连续扭曲波方法研究He离子与氢原子的碰撞电离过程,计算了随入射离子能量变化的总截面、出射电子随角度和速度变化......
应用经典径迹蒙特卡罗方法研究Si离子与氢原子碰撞电离反应过程,计算了随入射离子能量变化的总截面、出射电子随角度和能量变化的......
阐述了当前硅量子点(QDs)太阳电池的发展概况。介绍了量子限制效应引起的碰撞电离和多激子产生现象,分析了硅量子点太阳电池设计理......
本文给出了从２００Ｋ到１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型，并对实验结果作出合理解释
In this paper, the......
使用延时脉冲电场技术 ,在TOF_MS上研究激光_金属_电场相互作用时产生惰性气体高价离子 .设计了一个能量及延时时间可调的光电子发......
利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效沟道长度、栅氧厚度、源漏结深、衬底掺杂浓度以及电源电压对深......
本文分析和计算了基区不同Ge含量的器件在碰撞电离和雪崩击穿效应下的电流和电压特性，结果表明，在其它参数相同的条件下，基区Ge含量越......
介绍一种用于计算稳态汤逊条件下气体放电参数的Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ方程分析法，在１６９×１０－２１Ｖ·ｍ２≤Ｅ／Ｎ≤４２４×１０－２１Ｖ·ｍ２范围对ＳＦ６和Ｎ２的计算结果与实验测量值吻合，表明了这一算法的有......
结合实验中观察到的光激发电荷畴现象 ,提出光激发电荷畴理论模型描述高倍增 Ga As光电导开关的瞬态特性 ,讨论了高倍增 Ga As光电......
讨论了最差应力模式下 (Vg=Vd/ 2 )宽沟和窄沟器件的退化特性 .随着器件沟道宽度降低可以观察到宽度增强的器件退化 .不同沟道宽度......
在研究食物霉变与亚硝胺的形成时,发现了一种新的亚硝胺。本文报道用气相色谱-质谱对这种物质的分析,确定其结构是N-亚硝基-N-(1′......
研究了 2 .5 nm超薄栅短沟 p MOSFETs在 Vg=Vd/ 2应力模式下的热载流子退化机制及寿命预测模型 .栅电流由四部分组成 :直接隧穿电......
在SIMOX衬底上制备了H形栅和环形栅PDSOInMOSFETs,并研究了浮体效应对辐照性能的影响 .在10 6rad(Si)总剂量辐照下 ,所有器件的亚......
以二氯β－二酮及其酯为配体的七种金属配合物Ｔｉ（ａｃａｃ）２Ｃ１２，Ｔｉ（ｂｚａｃ）２Ｃ１２， Ｓｎ（ｂｚａｃ）２Ｃ１２，Ｚｒ（ｂｚａｃ）２Ｃ１２，Ｔｉ（ｂｚｂｚ）２Ｃ１２，Ｔｉ（ｅｔａｃ）２Ｃ１２，Ｔｉ（ｍｅｓａ）２ＣＩ２ 有基本相似的质谱断裂途径：分子离子Ｍ＋较弱（＜６％），由Ｍ＋优先生成（Ｍ－ Ｃ１）＋．并能进一步断裂生成次级碎片离子，......
应用耿效应电子学结合气体放电理论系统研究了高增益砷化镓(GaAs)光导开关(PCSS)的工作机理,提出了以畴电子崩为基础的流注模型,阐......
对比了半绝缘多能谷光电导开关中光激发单极畴和耿氏器件中偶极畴的物理机制.从产生机理、电场分布、电子浓度、生长和演变过程等......
制备和表征了p-i-n型的GaN基雪崩探测器。器件在-5 V下的暗电流约为0.05 nA,-20 V下的暗电流小于0.5 nA。响应增益-偏压曲线显示,......
本文研究了0.8μm SOI NMOS晶体管,经剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照之后的总剂量效应,分析了器件在不同辐照条件和测量偏置......
初步分析了AlGaN/GaN器件上的kink效应.在直流模型的基础上,建立了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型,并加入了k......
研究了0.8μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势.研究结果表明,经过制造工艺和......
脉冲激光诱发单粒子效应是近几年兴起的一种新型单粒子效应地面模拟手段。与单粒子效应研究常规手段重离子辐照的碰撞电离机理不同......
本文利用二维仿真器Medici对双栅无结晶体管的击穿特性进行模拟仿真,通过分析发生击穿时的电场分布和碰撞电离率积分,并结合碰撞电......
运用系宗蒙特卡罗法计算了强THz场作用下,n型掺杂的GaAs和InSb中随时间变化的散射机制以及载流子非线性动力学演变,获取了电子散射......
近些年来碳化硅(SiC)材料已经成为了功率半导体行业的一个研究热点,SiC功率MOSFET器件更是被广泛应用于工作在高压、高频尤其是高......
原子和分子的非序列双电离过程包含了两个电子之间的关联信息,因此原子与分子非序列双电离现象是强场物理研究的一个重要分支。与......
一、金属中的电流 金属中的自由电子定向移动形成电流.自由电子定向移动的速率与导体中的电流强度、横截面大小以及自由电......
火花点火式煤气机中混合气的燃烧过程取决于火花塞两电极间煤气间隙中产生放电的各种条件。两电极间煤气间隙的放电用电源电压和......
电子动量谱学是新近发展起来的一个前沿领域,它在研究原子和分子的结构时,显示出独特的为现有其它方法所没有的优点。在国外已经进......
在飞行时间质谱仪上用３０８ｎｍ激光研究ＮＯ／Ａｒ激光多光子电离过程中，发现产生了Ａｒ及ＮＯ的高价离子现象。飞行时间质谱峰宽表明，这种电离过程是在很短的时......
本文主要分析了砷化镓肖特基势垒栅微波场效应晶体管的直流特性。分析表明,在低电压区基本符合肖克莱缓变沟道理论,但当电压增加到......
业已表明,硅电荷耦合器件中,电荷转移的极限速度受硅中碰撞电离和饱和漂移速度的限制。当 L≤10μm 时,埋沟器件(BCCD)的电荷转移......
本文在无限小的沟道宽度—高度比的假设下,以及通过引入依赖于漏电流的有效杂质浓度对有限的沟道宽度作了修正之后,推导了结型场效......
美国无线电公司等四家公司正在研制兼有半导体长寿命特性和真空管大输出特性的新型电子器件。相对于半导体靶,在电子枪上所加的偏......
在GaAs-AlGaAs DH异质结上观察到了开关记忆现象,其高阻态表现为正常的 p-n二极管的伏安特性,其低阻态表现为线性的欧姆特性,在两......
目前短沟道CMOS 环振的瞬态分析和模拟不能令人满意,对于长沟道CMOS 环振通常用SPICE 进行模拟,在短沟道情况下则需要对器件模型......
数值模拟表明,薄膜全耗尽(FD)SOI器件的电位和电场分布,与较厚的部分耗尽(PD)SOI器件中所观测到的大不相同;漏电场和源势垒的降低......
轻掺杂漏(LDD)结构是制造沟道长度小于2μm的NMOS器件及采用这种器件制造超大规模集成电路(VLSI)所常采用的技术之一。本文详细介......
