蓝宝石衬底相关论文
蓝宝石衬底广泛用作LED产品的衬底材料，其加工精度高且工序复杂，主要包括切片、倒角、研磨、退火、上蜡、铜抛、软抛、清洗环节。蓝......
为了实现氢化物气相外延（HVPE）技术在蓝宝石衬底上外延生长氮化镓（GaN）过程的全自动控制，进一步提高系统的精确性和稳定性，设计了一种新......
通过分析磨粒与工件表面的作用过程,建立了硬脆性材料柔性磨具加工表面粗糙度的理论预测模型.以橡胶结合剂金刚石研磨盘为柔性磨具......
GaN作为第三代直接宽禁带半导体材料的代表,具有高击穿电场、高迁移率、高电子饱和漂移速率、高频、耐高温和抗辐射等优点,使其在......
“中国制造2025”明确要求“全面推行绿色制造”,实施“绿色制造工程”,到2025年基本建立绿色制造体系,并在先进电子材料等重点领......
为实现对蓝宝石衬底加工过程的质量监控,开发了一套蓝宝石衬底表面形貌检测和评价专用系统.基于经典垂直扫描白光干涉技术,利用其......
报告了研制的AlGaN/GaN微波功率HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂AlGaN/GaN异质结构,器件工艺采用Ti/Al/Ni/Au欧姆接触和Ni/......
本文报道了在p-3C-SiC外延膜上分别用Al和AuGeNi形成欧姆接触的结构和电学特性.采用原位硼烷(BH)掺杂技术在蓝宝石(0001)衬底上用L......
利用扫描电镜(SEM)观察了蓝宝石衬底和外延GaN层的位错缺陷,探索了衬底中位错和外延层位错形成的关系.并使用原子力显微镜(AFM)技......
图形化蓝宝石衬底(PSS)有利于减少LED外延层由晶格失配造成的缺陷,同时能够提高LED单晶片出光效率.倒装LED芯片结构中PSS图形的周......
功率型芯片是实现LED照明的关键元件,提升功率銎芯片的发光效率是减低其成本的主要手段。国内通过技术革新，基于蓝宝石衬底生产的功......
本文使用MOCVD方法，在蓝宝石衬底上通过GaN过渡层进行了AlInN薄膜的生长，并研究了生长温麦和生长压力对其表面形貌和In组分的影响。......
会议
研究了通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的AlN外延层。通过改变生长室压强，发现降低压强对提高AlN外延效率有显著的效果，因......
会议
为了研究电极形状对蓝宝石衬底GaN基LED的电流扩展色影响.本文建立了一个电流扩展模型来分析器件的电流分布,并用自己做的芯片验证......
生长并制作了GaN基多量子阱激光器,研究了脊形条宽多激光器动态特性的影响。以c面蓝宝石为衬底,在金属有机物化学气相外延(MOCVD)......
ZnO材料作为一种直接带隙的宽禁带半导体材料,一直受到研究人员的关注.MOCVD是最适合工业化生产的一种方法,本文采用新型等离子体......
利用LP-MOCVD系统在蓝宝石(α-AlO)衬底的(0001)面上外延生长InGaN/GaN MQWLED结构.分别以蓝氨和高纯三甲基铟(TMIn)、三甲基镓(TM......
本文在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延(MOCVD))方法对无掩模横向外延(ELO)GaN薄膜进行了研究.实验中在蓝宝石衬底上用化学腐......
利用横向外延生长原理,对蓝宝石进行表面处理,并结合MOCVD薄膜生长技术,在蓝宝石衬底上生长低位错密度、优异光学性能的GaN薄膜。......
为了提高SiC在蓝宝石衬底上的成核率和附着力,采用了蓝宝在衬底表面氮化技术,成功地获得了厚度为6.5um,且无剥落现象的单晶3C-SiC......
通过在O2气氛下高温后退火,将采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术在蓝宝石衬底上低温生长的n型N-Al共掺ZnO薄膜转化为p型导电......
本文制备了一种纳米氧化硅抛光液，采用扫描电镜、激光粒度仪、大颗粒计数仪对其进行了表征.进而研究了其在蓝宝石表面的抛光性能，采......
超宽禁带半导体材料氮化铝(AlN)具有超高击穿场强、高饱和电子漂移速度、高热导率、高表面声速、高非线性光学系数等优点,可用于制......
介绍在蓝宝石衬底制作二维光子晶体以提高GaN基LED的外量子效率的研究。衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息和ICP干法刻蚀技术......
SiC衬底GaN LED外延薄膜比蓝宝石衬底的缺陷密麦低、晶体制量高，器件电流电压及电流波长特性更稳定。本文通过理论模拟分析7一定内......
采用蓝宝石为衬底的AlGaN/GaN外延材料,台面工艺隔离,Ti/Al/Ni/Au欧姆接触金属,Ni/Au肖特基接触金属,空气桥方法将源连接等主要技......
Enhanced performance of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with patterned sapphire substrat
In this paper,the enhanced performance of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells grown on patterned sapphire substr......
比作传统的光屋顶，与电影涂的蓝宝石的屋顶能有效地减少放射率和增加发射度。这个工作的目的是在蓝宝石上调查热放射效果光的与由收......
我们区分了在单身者上扔的 Cu 电影的效果水晶一 -- ， r- ，和在 graphene 电影之上的 c 飞机蓝宝石底层与气压化学药品蒸汽免职(CVD ......
Nonpolar a-plane (110) GaN films have been grown on r-plane (102) sapphire by metal-organic chemical vapor depositio......
本文报道（0001）晶向蓝宝石衬底上金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法生长的单晶六角GaN薄膜室温光学性质．由光吸收谱和488umAr+激光激发的......
由于日本日亚化学公司S．Nakamura1997年演示的连续波二极管激光器的外推寿命达到了10000h，氨化镓（GaN）研究人员将会记住这一年。同年的......
在东京大学的热动力学研究专家 Seri教授和 Kourin助教的鼎力相助下 ,位于日本东京的住友电子工业公司生长出 2英寸单晶 Ga N衬底 ......
Xerox研究中心已成功地在石英衬底上长出简单的多晶氮化物半导体发光二极管。在近来的实验中 ,David Bour和同事从氮化物 L ED中获......
报道了EMCORE公司的旋转盘反应器 ,或TurboDisc反应器 ,这是一种带有旋转盘的立式反应器。衬底片放置在高速旋转的盘上并被加热到......
近年来人们报道了用ＭＢＥ方法生长ＧａＮ的飞速进展，利用ＲＦ－ＭＢＥ方法可以获得高的ＧＡＮ生长速率和高的电子迁移率。本文讨论了用ＲＦ－ＭＢＥ方法在蓝宝石衬底上生长ＧａＮ过程......
《科技开发动态》2003年第10期报道了南京大学一项氮化镓极性控制技术的研究成果。该成果在蓝宝石衬底上生长氮化镓,生长系统的生......
１LED的发展在市场需求与技术进步的推动之下，LED（发光二极管经历了一段辉煌的历史。第一批产品出现于１９６８年Monsanto公司将其作为指示灯泡......
美国《科学》报道:美国新墨西哥州桑迪亚国家实验室的研究人员为GaN沉积层发明了一种工艺,这种工艺在蓝宝石衬底上横越刻蚀沟槽,......
报道了蓝宝石衬底 Al Ga N/ Ga N共栅共源器件的制备与特性 .该器件包括栅长为 0 .8μm共源器件与栅长为1μm的共栅器件 .实验表明......
利用低压金属有机源气相沉积 (L P- MOCVD)技术 ,在 (0 0 0 1 )蓝宝石衬底上生长 Zn O纳米岛 ,发现在适当的生长条件下 ,可以生长......
制作了蓝宝石衬底上生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管.0V栅压下,0·3μm栅长、100μm栅宽的器件的饱和漏电流密度为0·85A/mm,峰......
