时间相关介质击穿相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

时间相关介质击穿相关论文

铜离子迁移现象及其对Cu金属化TDDB寿命的影响

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期刊

铜离子迁移 Cu金属化 TDDB寿命时间相关介质击穿

多晶硅CVD HfO2栅层叠的时间相关介质击穿

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期刊

多晶硅栅叠层 CVD HFO2 时间相关介质击穿可靠性栅氧化

VLSI铜互连可靠性TDDB特性及其寿命评估模型研究

随着超大规模集成电路的发展,特征尺寸不断减小,RC延迟取代门延迟成为制约电路发展的主要瓶颈。在这种情况下,铜互连代替铝互连成......

学位

铜互连时间相关介质击穿寿命评估模型可靠性

场效应管时间相关介质击穿的失效机制研究

TDDB（Time dependent Dielectric Breakdown）时间相关介质击穿，表征与时间相关的介质电击穿。在金属场效应管器件里是用来测试栅氧层......

期刊

集成电路制造时间相关介质击穿栅氧场效应管应力退火

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