集成电路制造相关论文
通过神经网络方法提出了一种半导体制造系统的调度方法,利用历史Qzone派工数据训练深度神经网络模型,利用模型得到不同WIP分布下的......
随着特征尺寸（CD）的不断减小和套刻精度的不断提高,对AMC（气相分子污染物）引起的污染问题越来越重视。投影光刻机中对AMC的浓度的控制,......
阐述4H-SiC同质外延生长过程中出现的三角形缺陷。基于三角形缺陷的成核原理，对外延层结构和生长参数进行改进，从而在4H-SiC衬底与外......
集成电路制造也称芯片制造，在整个工业产业链中越来越重要，而电化学沉积（电镀）等表面技术起到非常关键的作用。介绍芯片制造中用到的电......
阐述腔体匹配（Chamber Matching, CM）是纳米尺度半导体工艺最为关键的挑战之一，随着特征尺寸的不断缩小，半导体工艺对细微误差变得越发......
阐述集成电路锗硅工艺中栅极顶部边缘锗硅冗余生长缺陷的产生机理，工艺流程改进，控制栅极氮化硅掩模层的残留量来解决该缺陷，探讨锗硅......
基于FinFET平台，阐述镶嵌式源漏区锗硅外延工艺L1种子层的优化，通过开发出循环式外延锗硅工艺，对L1种子层B浓度提升带来的选择性失效......
阐述在14nm FinFET及以下工艺，由于器件需要，较多制程刻蚀后关键尺寸为22nm。DUV光刻工艺关键尺寸的极限38nm左右。探讨在形成最终的......
阐述CMOS技术进入深纳米工艺节点，鳍式场效应晶体管以其优异的电学性能成为目前的主流器件。当工艺发展到Fin周期小于40nm时，开展自......
集成电路是电子信息产业的基础与核心,是提升国家综合国力和保障国家安全的重要支柱产业。全球多个国家都将集成电路产业纳入国家......
在线测量检测技术与装备是保证集成电路（IC）制造质量和良率的唯一有效技术手段，在IC制造过程中必须对IC纳米结构的关键尺寸、套刻误差......
分析表明,我国目前正在新建和扩建的晶圆生产线和封装生产线都将进入量产。探讨我国半导体材料市场规模,主要半导体材料产品的发展......
采用ORBIT系统的FAMPAT专利数据库,针对全球集成电路制造领域技术进行分析和研究,其中着重对于全球专利申请趋势,全球专利家族分布......
光刻胶是集成电路光刻工艺中的关键材料,光刻胶产业具有很高的技术壁垒,市场基本被国外企业垄断。近年来,随着集成电路芯片制造产......
阐述氧气纯化器达到PPB级别的工序原理，022Cr17Ni12Mo2管道和阀门对指标稳定的影响，再生温度控制系统对氧气纯化器稳定运行的影响。......
阐述半导体制造过程中的重要设备气体纯化器的发展背景,气体纯化设备的国产化替代历程,存在的问题和应对的策略,从而适应集成电路......
针对晶圆测试过程不同测试温度下出现的针痕不佳问题,研究探针卡的基板材料在此问题中产生的影响。通过实验,收集常见基板材料在不......
在集成电路制造中,湿法清洗工艺中铝金属腐蚀是一种致命缺陷,它的出现将引发产品的可靠性问题.通过控制清洗过程中的工艺参数,增加......
分析集成电路产业的发展趋势,在技术进步推动、应用广泛渗透和新兴产业发展等因素驱动下,集成电路应用市场仍将不断发展,产业投资......
阐述在诸多的双大马士革结构刻蚀工艺中,金属硬质掩模一体化刻蚀工艺是迄今为止最为先进的工艺,既能解决传统工艺中所固有的低介电......
基于半导体行业发展迅速,电子器件生产工艺流程复杂,大量酸、碱及有机溶剂和特殊气体的使用导致废气的产生和排放,对大气影响突出,......
为了降低紫外光刻投影物镜受环境温度稳定性引起的性能恶化（主要是焦面偏移等）,借鉴空间红外光学的无热化的研究成果,并结合投影物镜......
阐述背照式图像传感器(Backside Illumination,BSI)芯片,将硅片减薄后,在photodiode背面搭建CF及Micro Lens,光线由背面射入,增大......
阐述嵌入式非易失性存储器芯片制造流程中的多晶硅化学机械研磨(CMP)后清洗工艺对随后的多晶硅蚀刻工艺的影响。研究发现CMP的后清......
阐述半导体业务连续性计划的制定对保障工厂的稳定有着深远的影响,包括业务影响分析、关键业务风险评估、发展制定应对计划(应急预......
“集成电路制造关键装备用高精密碳化硅陶瓷部件研制技术”是中国建筑材料科学研究总院为清华大学等单位承担的国家科技重大专项“......
《中国电子报》2004年9月25日报道,中芯国际公司在北京的第一座12英寸芯片厂成功投入正式运营阶段。这标志着我国集成电路制造技......
上海华虹NEC电子有限公司(以下简称华虹NEC),拥有中国大陆第一条8英寸代工生产线,是世界领先的集成电路制造企业之一。万代半导体......
2006年3月19日,Teradyne公司宣布,全球最大的半导体制造商之一中芯国际集成电路制造有限公司已经选择了UltraFLEXTM测试系统,用于......
据美国科技媒体报道,IBM计划在今年12月份在美国华盛顿举办的国际电子器件会议上,介绍其采用CMOS兼容工艺制造的2 GHz石墨烯实验型......
通过APC(Advance Process Control)的建模和研磨实验,研究了APC的闭环控制(Close Loop Control)和开环控制(Open Loop Control)在D......
集成电路制造企业是集成电路产业链中十分重要的一环,具有高科技、高投入、高竞争的特点。集成电路制造公司质量管理体系的建立和......
2012年国家筹集了1000亿规模的国家集成电路产业投资大基金(简称大基金),正式宣告中国的集成电路行业发展上升到国家战略。因为随......
由北京科华微电子材料有限公司投资建设的我国第一条百吨级高档光刻胶生产线2009年5月8日在北京市顺义区建成并投产运行。这标志着......
引线键合是芯片制造后道工艺中的主要工序，直接影响着集成电路、电子元器件的可靠性和成本。现在的IC封装中，键合线的材料多为金和铝......
化学机械抛光(CMP)作为超大规模集成电路制造(ULSI)工艺中公认的最佳平坦化加工工艺,已成为ULSI制造中不可或缺的技术。为满足ULSI......
[目的]了解某集成电路制造公司一线员工的工作倦怠状况。[方法]采用M aslach工作倦怠通用量表改进版(MB I-GS),对406名某集成电路......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
N-Well BiCMOS[B]技术能够实现双极型与CMOS元器件兼容的工艺。为了便于集成,采用双极型制程为基础,引入CMOS元器件工艺,在同一硅......
作为全球专业集成电路制造服务业的先行者与领导者,台积电面对中国大陆的广阔市场,面对正在迅速发展的内地IC设计公司,以及大量充......
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IC设计作为集成电路产业链中的一环,对上下游配套支撑服务依赖度较高,包括封装、测试、晶圆制造等。相对于IC设计,封测以及制造需......
武汉新芯集成电路制造有限公司（ XMC ），一家迅速发展的300 MM 集成电路制造商，近日宣布其3D NAND 项目研发取得突破性进展，第一个具有9......
