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提出了一种晶圆级单轴应变绝缘层上硅（SOI）的新方法，并阐述了其工艺原理．将直径为100mm（4英寸）的SOI晶圆片在曲率半径为0．75m的弧形弯曲台......
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兼有SOI技术和应变硅技术优点的sSOI绝缘层上应变硅)技术是一种很具创新和竞争力的新技术,不仅显著提高了载流子迁移率,而且消除了......
