单轴应变相关论文
由于载流子迁移率对器件光电导特性有直接影响,而材料带隙的可调控性能够进一步影响载流子迁移率,使材料有更加广泛的应用。本文通......
无铅卤化物双钙钛矿(LHDPs)的发现为寻找空气稳定型和环境友好型的太阳能电池光吸收材料提供了一条有效途径。但是其太阳能电池的......
超薄二维材料是一种具有单层或少层原子层的纳米材料,其单层中的原子通过共价键结合且表面无悬挂键,层与层之间通过弱的范德瓦尔斯......
学位
应变Si技术由于其具有高的载流子迁移率，与当前主流的Si工艺相兼容等优点，在CMOS工艺上得到了广泛的应用。SiN帽层和SiC源漏作为两种......
改进了混凝土大坝施工期应变统计模型,采用3个指数函数累加来表示时效分量,该时效分量表达式可描述任意收敛型的时效分量。对西南......
采用平衡态分子动力学方法研究了立方锗的热导率.介绍了平衡态与非平衡态方法的区别.应用Tersoff势描述锗原子之间的相互作用,通过......
对泊松比的意义进行讨论,给出了单轴应变加载下线弹性区的泊松比与纵向应力和横向应力的关系,以及准弹性区的泊松比与声速的关系。......
提出了一种晶圆级单轴应变绝缘层上硅（SOI）的新方法，并阐述了其工艺原理．将直径为100mm（4英寸）的SOI晶圆片在曲率半径为0．75m的弧形弯曲台......
基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了Mg2 Si半导体沿[001]方向单轴应变下的结构、力学性质以及电子性质.计算结果表明：无应......
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钙钛矿结构氧化物因其具有丰富的功能而备受关注,特别是高温超导、庞磁阻效应发现以来,人们怀着极大的热情投入到钙钛矿结构相关的......
鄂西渝东区域富含页岩气资源,是南方重点勘探区域。由于该区域经历的复杂地质构造运动,尤其是气藏形成之后的抬升剥蚀运动,导致盖......
为了进一步提高半导体器件的性能,除了改进器件结构外,各种新材料与新技术被不断地应用到器件的设计制造中。由于应变Si材料载流子......
应力作用下MOS性能可显著提升,小尺寸MOS沟道中单轴应力的引入可通过在MOS表面覆盖淀积SiN膜实现.虽然该工艺已广泛应用于MOS性能......
期刊
二滩工程混凝土观测应变的应变计组是正三角形布置或正三棱锥布置，其应力的转换计算与众不同．应用弹性力学理论，提出了应变计组是正三......
通过对江垭大坝5向应变计组、无应力计实测数据物理量换算,利用变形法反推应力,得出了江垭大坝混凝土无应力计线膨胀系数、自身体......
单轴应变Si材料电子电导有效质量是理解其电子迁移率增强的关键因素之一,对其深入研究具有重要的理论意义和实用价值.本文从Schr......
针对溪洛渡拱坝埋设的差阻式应变计组的组合特点,推导了应变计组不同埋设方式的单轴应变计算公式,采用变形法将单轴应变转换为单轴......
兼有SOI技术和应变硅技术优点的sSOI绝缘层上应变硅)技术是一种很具创新和竞争力的新技术,不仅显著提高了载流子迁移率,而且消除了......
量子阱红外探测器(QWIP)白二十世纪九十年代被研制成功以来,一直受到人们的广泛关注,并取得了长足的发展。与HgCdTe红外探测器相比......
近年来,应变硅(Strained Si)技术由于在提高MOS器件性能方面的卓越表现而备受关注。例如,通过在沟道中引入适当的压应力和张应力能......
