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氟离子终端技术相关论文
适于高压垂直型氮化镓功率器件的氟离子终端结构的设计与优化
氮化镓(GaN)功率器件作为第三代半导体器件,具有较高的击穿强度、较低的导通电阻以及较快的开关速度,是下一代大功率及高频功率电......
学位
垂直型GaN功率器件
提前击穿
反向耐压
边缘终端技术
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