反向耐压相关论文
逆阻IGBT（Reverse Blocking IGBT,RB-IGBT）是一种将IGBT背面PN结加固的新型功率器件。直接使用RB-IGBT,相比于传统IGBT串接二极管的......
在对4H—SiC高压肖特基势垒二极管进行了理论分析的基础上,利用仿真软件ISE10.0对具有结终端保护的4H—SiC高压肖特基势垒二极管耐......
氮化镓(GaN)功率器件作为第三代半导体器件,具有较高的击穿强度、较低的导通电阻以及较快的开关速度,是下一代大功率及高频功率电......
【摘要】 研究了肖特基芯片势垒结构与参数性能的原理，结果表明利用扩散势垒和多层金属化结构设计工艺，使得肖特基势垒界面横向结构......
4H-SiC材料和高压4H-SiC肖特基二极管(SBD)器件具有优越的性能,在国民经济和军事等诸多领域有着广泛的应用前景,例如电力电子领域......
