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Ar环境下氢化非晶锗硅的制备与特性研究
采用RF-PECVD法在氩环境下制备了Ge掺杂a-Si∶H。将样品通过台阶仪、傅里叶红外光谱仪、紫外可见光分光光度计以及Keithley高阻仪......
期刊
氢化非晶硅
锗掺杂
PECVD
氩环境
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