锗掺杂相关论文
微孔SiO2薄膜热稳定性好、化学性质稳定、容易再生、易控制孔径大小和尺寸分布等优点。但SiO2膜的水热稳定性差，在湿热环境长期使用......
Ge由于其在光纤通信波段(1.3～1.55μm)有较大的吸收系数，比Si具有更高的电子和空穴迁移率，与标准CMOS工艺兼容性好等优点，被广泛应用于......
热电材料是一种不借助任何中间过程就可以实现热能和电能之间互相转化的功能材料，在工作过程中不产生机械振动和噪音，而且不排放任何......
为了进一步提高多晶硅薄膜的晶化率,采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上制备了掺杂稀土锗的多晶硅薄膜。用扫描电子显微镜(KYKY-1000B......
在真空蒸镀多晶硅薄膜中掺入杂质可改善膜的微结构及电特性，目前有关基板距离对所得膜层的影响研究不多。采用真空蒸镀掺杂锗的方法......
采用稳定自由基聚合法合成了锗掺杂聚苯乙烯类聚合物，并利用聚合物溶液的热致相分离原理和冷冻干燥技术制备出具有多孔结构的锗掺杂......
采用均匀沉淀法制备不同锗掺杂浓度的纳米二氧化钛（Ti O2）;为了研究掺杂浓度与粉体活性之间的关系,针对化学毒剂（CWAs）模拟剂2-氯乙基......
在直拉硅单晶生长过程中,氧不可避免地被引入至硅单晶中,其浓度一般在(5-10)×1017 cm-3。位于硅晶格间隙位的氧原子可以与空位或......
二氧化钛是一种无毒、廉价、稳定的半导体材料,被广泛用作光电化学太阳能电池的电极材料,适当掺杂可以增强其光电性能。以钛酸丁酯......
太阳能光伏是重要的新能源,已经成为我国和国际上重要的高新技术产业。当前,80%以上的太阳电池都是采用晶体硅材料制备的,因此晶体......
采用RF-PECVD法在氩环境下制备了Ge掺杂a-Si∶H。将样品通过台阶仪、傅里叶红外光谱仪、紫外可见光分光光度计以及Keithley高阻仪......
使用Ge4＋、Sn4＋作为掺杂离子,通过高温固相法制备四价阳离子掺杂改性的尖晶石LiMn2O4材料.X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）分析表明......
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