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氮化铝缓冲层相关论文
磁控反应溅射AlN缓冲层对GaN基LED器件性能的影响
以直流磁控反应溅射法(RMS)在图形化蓝宝石衬底上制备的AlN薄膜作为缓冲层,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)外延生长了GaN基LED......
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直流磁控反应溅射
氮化铝缓冲层
氮化镓基发光二极管
金属有机化学气相沉积
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