直流磁控反应溅射相关论文
尖晶石铁氧体是强关联体系过渡金属氧化物的典型代表之一,在自旋电子学器件中具有重要的应用,其基态的自旋、电荷、晶格和轨道自由......
本文研究了N2-Ar流量比对磁控溅射硅基AlN薄膜的影响,实验表明在其它参数一定的情况下,N2-Ar流量比对AlN薄膜元素种类与含量有很大......
反应磁控溅射制备AIN薄膜时,薄膜的质量与众多实验参数有关.靶基距、溅射功率、工作气体总压及N2气分压等实验参数影响薄膜质量的......
为研究氧化依（ＩｒＯ_２）对ＰＺＴ铁电薄膜疲劳性能的影响，利用直流（ＤＣ）磁控反应溅射（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工艺成功地在ＳｉＯ_２／Ｓｉ（１００）衬底上制得了高度取向的ＩｒＯ_２薄膜．并在其上制成ＰＺＴ铁电薄膜．讨......
采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜.研究了靶基距、衬底温度和电极材料对AlN薄膜择优取向的影响.用XRD、AFM表征了AlN薄膜的结构......
利用紫外-可见光谱仪对直流磁控反应溅射工艺参数对SnO2:Sb薄膜光学带隙的影响进行了研究.结果表明:SnO2:Sb薄膜的光学带隙随着溅......
在本底真空2.4×10-3Pa,溅射电压420 V,溅射电流0.3 A,氧分压0.17 Pa,溅射总气压1.5 Pa条件下制得TiO2薄膜,未退火时为无定型......
以纯铝为靶材,在不同溅射气压下采用直流磁控反应溅射方法制备了Al2O3薄膜.用扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）、台阶仪、......
采用了补氧直流磁控反应溅射工艺制备ITO膜,在不同基片加热温度和补氧流量下获得最低方块电阻值的最佳制备工艺.对制备的ITO薄膜进......
采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了具有较好(002)择优取向性的AlN薄膜.采用典型的半导体光刻工艺,利用刻......
应用直流磁控反应溅射技术在不锈钢基体上制备Al2O3薄膜,研究了溅射气压、氧气流量和基体温度对Al2O3薄膜的沉积速率和膜基结合力......
论述纳米多晶硅-氮化铝隔膜-硅单晶衬底基片的研制.此基片可供制造高温力学量传感器.其要点是在力敏电阻条与硅弹性膜之间利用AlN......
采用直流磁控反应溅射的方法在金属铝基板表面沉积AlN薄膜。通过XRD、SEM对绝缘膜层进行了研究分析,并测试了膜层的介电性能。结果......
采用直流磁控反应溅射法，分别在室温，200，300，400和500 ℃下制备了HfO2薄膜。利用X射线衍射（XRD）、椭圆偏振光谱（SE）和紫外可见光谱（UV-vis）......
采用直流磁控反应溅射法制备了高温压力传感器用的AlN薄膜。用X射线衍射对薄膜的晶向结构进行了分析,研究了薄膜的绝缘特性和化学......
本文采用直流磁控反应溅射金属镶嵌靶In/Mo和In/W制备高价态差掺钼氧化铟（In2O3：Mo，IMO）和掺钨氧化铟（In2O3：W，IWO）透明导电薄膜，详细研究了......
以直流磁控反应溅射法(RMS)在图形化蓝宝石衬底上制备的AlN薄膜作为缓冲层,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)外延生长了GaN基LED......
ZAO导电膜由于自身优良的光学和电学性质而备受人们青睐。与传统的ITO导电膜相比,ZAO导电膜具有如下一些突出的优点:原材料在自然......
研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素......
采用直流磁控溅射技术在不锈钢304基体上沉积NiCr-CN膜层。利用扫描电镜（SEM）、电子能谱（EDS）和辉光放电发射光谱仪（GD-OES）分别对膜层微......
采用直流磁控反应溅射法，在Si(100)和Pt／Ti／Si(100)上制备了AIN薄膜。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微(AFM)对薄膜的晶......
在不同氧氩比例气氛下,采用直流磁控反应溅射方法制备了HfO2薄膜。利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,属于六方纤锌矿结构,（002）晶面的表面自由能最低,因而ZnO通常具有[0001]取向性生长。作为一种直......
TiO2具有金红石、锐钛矿和板钛矿三种晶型,在一定温度和压力下可发生晶型的转变。TiO2薄膜在可见光区透射率高,折射率大,是非常重......
采用直流磁控反应溅射法，在Si(100)，Al／Si(100)和Pt／Ti／Si(100)等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AIN薄膜．用XRD和AES对薄膜的结构和组分......
