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Ni^+注入n—GaP DLTS谱中Ni杂质能级的识别
在不同条件下退火的Ni^+注入n-Gap DLTS谱中观测到表观激活能在0.60 ̄0.70eV范围内的多个多子峰和少子峰。对各样品掺杂层内的能带弯曲及Ni杂质各荷电状态浓度......
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