漏电机理相关论文
GaN材料作为宽禁带半导体,具备优良的材料特性,被广泛应用于功率半导体器件中,具有较高的研究价值。国内外GaN基功率二极管的相关......
通过分析加入不同交联剂质量分数的PVP绝缘膜MIS结构的电学特性，研究了交联剂质量对PVP薄膜电学特性的影响。交联剂PMF和PVP均溶于P......
有机PVDF(聚偏二氟乙烯)材料有绝缘、透明、化学稳定、抗辐射、柔韧等诸多优良特性,尤其当其呈p相结晶时,更有杰出的铁电性能。然......
利用准分子脉冲激光器在Pt/Ti/SiO2/Si（111）衬底上制备了Pb（Zr0.4Ti0.6）O3（PZT）铁电薄膜.利用掩膜技术,采用磁控溅射法在PZT薄膜上生长Pt......
介电常数分别为2.6的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）及介电常数为16的偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物（P（VDF-TrFE））两种不同的有机绝缘材料,通过溶液旋......
目前国内外关于有机绝缘层制备的研究报道较多,但是针对ITO对有机薄膜的性能影响的研究较少。本课题在ITO基底上制备了两种有机绝......
