电子陷阱相关论文
半导体量子点（quantum dots,QDs）因其独特的尺寸依赖性、溶液可加工性、荧光量子产率（photoluminescence quantum yield,PL QY）高、光......
热电子跃迁,即动能远远大于平均热动能的电子越过某一较大的势垒,是决定半导体材料和器件的光电性质的一种重要机制。研究热电子相......
长余辉材料是一种储能发光材料。传统的长余辉发光电子传输模型认为,余辉材料的充能通过填充位于导带底附近的余辉陷阱实现,通常需......
摘要：短视频这些年得以快速发展，但在技术加持和便利网络条件下，短视频雷同内容随处可见、浮躁肤浅符号蔓延、不良内容肆意传播，优质内......
ZnSe nanoribbons 与化学蒸汽免职线路被综合。刺激力量依赖者光致发光和表面 photovoltage (SPV ) 技术被用来学习成长得当的 ZnS......
电子陷阱掺杂可明显改善晶体材料中光电子衰减特性,最终改善其物理性能。利用微波吸收介电谱检测技术,对30%Ag位置处掺杂不同浓度K......
纳米管钛酸在高温空气中(400℃≤T≤600℃)脱水得到含有高浓度束缚单电子氧空位(Vo˙)的新型TiO2.该TiO2体相中含有高浓度本征缺陷......
本文介绍了武汉大学２００ｋｅＶ离子注入机的改进情况，用贝纳斯离子源替换了原有的高频离子源，使输出流强由几十微安提高到毫安级，离子种类由原来......
文章介绍了ＧａＡｓ的中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）的优点，砷化镓的ＮＴＤ原理，以及ＮＴＤ－ＧａＡｓ的退火过程。并简要介绍了国外ＧａＡｓ的ＮＴＤ研究进展和结果
The article introduces the a......
研究了温度从１００～４２３Ｋ范围内在薄氮氧化硅膜和薄二氧化硅膜中的高场电子陷阱的温度依赖性。我们发现；在研究的温度范围内，当温度降低时，薄氮氧......
报道了射频反应溅射制备的CdIn2O4薄膜（简称CIO膜）的光学、电学性质以及能带结构与退火处理的关系，包括透射率、折射率、消光系数和薄......
应用电容电压、光致荧光和深能级瞬态谱技术研究了分子束外延生长的ｎ型Ａｌ掺杂ＺｎＳ１－ｘＴｅｘ外延层深中心．Ａｌ掺杂ＺｎＳ０９７７Ｔｅ００２３的光致荧光强度明显低于不掺杂的......
该文测量了电应力作用下栅介质膜中陷阱电荷积累、以及在撤除应力后陷阱电荷减少的规律，在此基础上提出了解释脉冲应力下栅介质膜击......
应用４１９２Ａ低频阻抗分析仪测量了低压ＺｎＯ压敏陶瓷的复电容曲线，研究了烧结温度对复电容曲线压低角的影响规律，探讨了晶粒边界耗尽层中电子陷阱......
·研究与开发·J－聚集态染料超增感作用隔离机理……………………………勃·依·沙比罗（俄）（１－１）容量４．７GBDVD－RAM驱动器的开发…………………......
本文发现含染料的溴化银模型乳剂在g=2.0023下的光致ESR信号强度随化学成熟时间的增长而增强,与光敏度的变化呈平行关系。这一现象......
在电荷泵技术的基础上 ,提出了一种新的方法用于分离和确定氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对 p MOS器件热载流子应力下的阈值电压退......
在本工作中,用电镜法、介电损耗法和微波光导法研究了铜离子的掺杂对于卤化银乳剂微晶体的掺杂效应。试验结果表明,铜离子的掺杂使......
本文研究了在乳化开始及乳化过程中添加铱盐(NH_4)_2IrCl_6对乳剂照相性能的影响。井设计出可行的方法测定了乳化开始时加入的铱在......
通过对室温下的本征氮化镓材料进行不同波长(360 nm～377 nm)的光照,分析了本征氮化镓中的持续光电导及其复合机制。实验的结果证明......
前已报道氯取代基对苯并咪唑碳菁染料增感效果的影响,本文用光电导方法进一步研究这些染料的光谱增感机理。 按照电子转移理论,光......
研究不掺杂和掺Eu的BaMgAl10O17(BAM)荧光粉在真空紫外激发的光致发光(PL)、热致发光(TL)性能。研究发现不掺杂的BAM发射的空穴与......
借助深能级瞬态傅里叶谱研究了钒离子注入在SiC中引入的深能级陷阱.掺入的钒在4 H-SiC中形成两个深受主能级,分别位于导带下0.81和......
由Si-H键钝化的多孔硅的光致荧光(PL)发光频移遵循量子受限效应,随着纳米结构尺寸的变小PL发光频率从红外蓝移到紫外。多孔硅被氧......
为了更深入地了解电子俘散材料的光学性质,进一步提高它们的光存储性能,我们在一些离子键(或离子性较强的)晶体中研究了电子陷阱的......
有机光电探测器(Organic photodetectors,OPDs)具有诸多优点,如成本低、吸收系数大、可大面积制备、活性层材料来源广泛等,因此在......
前言为研究金属离子提供的电子陷阱对卤化银微粒电子过程的影响,进行了下列实验: 在涂布前往卤化银乳剂中加入少量金属离子(Hg~(2......
一、序言卤化银微粒晶体吸收光线后,在晶体内产生了游离电子和游离孔穴,这些陷阱,使电子与银离子结合后,促进银的生长,同时也产生......
本文探讨了压力对照相性能的影响。一般认为,在多种曝光条件下,胶片受压之后的灰雾总是增大的。由于AgX颗粒中会产生许多新的浅电......
合成了两个新型方酸菁染料3和5。在酸催化下,2,3,3-三甲基假吲哚不需N-烷基化,可直接与方酸反应。反应过程中发生了明显的质子转移......
<正>在文献我们报道了BaFCl:Eu~(2+)晶体的高温热释发光,发现了3个新的高温热释峰.通过研究表明这3个高温热释峰是由晶体中F心的缔......
铝合金的氢脆和应力腐蚀开裂是受到广泛重视的课题．本文采用正电子湮没（ＰＡ）技术研究了ＬＣ４铝合金在慢拉伸动态充氢时，在３．５％ＮａＣｌ＋２００ｍｇ／１Ａｓ２Ｏ３介质中，多普勒展宽（Ｄｏｐｐｌｅｒｂｒｏａｄｅｎｉｎｇ）Ｓ参数......
采用激光烧蚀法和串级飞行时间质谱仪研究了银硫二元团簇离子的形成(银硫比例影响,尺寸大小范围,激光功率作用及紫外光解等).工作......
本文探讨了α-Al_2O_3:C晶态粉体的辐照剂量效应,使用RisφTL/OSI-DA-15型热释光和光释光仪研究其热释光和光释光特性,结果发现,相......
用介电损耗法测量溴化银乳剂颗粒面[111]面上以其填隙银离子作为载流子时,低频峰值给出的离子电导率说明,溴化银T颗粒的填隙银离子......
介绍了电子陷阱光存储技术的物理机理和电子陷阱材料的性质及其应用前景并简要地讨论了它在光信号处理中的应用。
The physical m......
本文综合近年 LEC 法生长不掺杂的半绝缘 GaAs 晶体的研究结果,对晶体生长工艺及晶体特性的研究概况作一评述。在晶体生长方面,详......
通过不同生长温度研究MOCVD GaAs中0.8eV电子陷阱(称为EL2)浓度与生长过程中As/Ga克分子比的关系。发现存在一个生长温度界线,把生......
陷阱的存在对发光二极管的发光效率和其他性能有决定性的影响。检测发光二极管中的陷井能级并研究其性质,一直是发光二极管的重要......
在就地XPS测量时采用0～20eV的电子来对生长在硅〈100〉衬底上的器件优质栅氧化物(～850(?))进行辐射。由于采用了湿纯化学深度剖面法,......
稀土元素Yb在1050℃扩散30分钟,已被引进硅中.它在P型硅中形成两个空穴陷阱Ev+0.38eV和 Ev+0.49cV,在N型硅中形成一个电子陷阱 Ec-......
利用液封凝固法(LEF)生长了不掺杂的半绝缘GaAs晶体,该法的工艺特点为晶体在B_2O_3液封层内生长。实验结果表明,与沿用的液封直拉......
