电子陷阱相关论文
半导体量子点（quantum dots,QDs）因其独特的尺寸依赖性、溶液可加工性、荧光量子产率（photoluminescence quantum yield,PL QY）高、光......
热电子跃迁,即动能远远大于平均热动能的电子越过某一较大的势垒,是决定半导体材料和器件的光电性质的一种重要机制。研究热电子相......
长余辉材料是一种储能发光材料。传统的长余辉发光电子传输模型认为,余辉材料的充能通过填充位于导带底附近的余辉陷阱实现,通常需......
摘要：短视频这些年得以快速发展，但在技术加持和便利网络条件下，短视频雷同内容随处可见、浮躁肤浅符号蔓延、不良内容肆意传播，优质内......
有机光电探测器(Organic photodetectors,OPDs)具有诸多优点,如成本低、吸收系数大、可大面积制备、活性层材料来源广泛等,因此在......
铝合金的氢脆和应力腐蚀开裂是受到广泛重视的课题．本文采用正电子湮没（ＰＡ）技术研究了ＬＣ４铝合金在慢拉伸动态充氢时，在３．５％ＮａＣｌ＋２００ｍｇ／１Ａｓ２Ｏ３介质中，多普勒展宽（Ｄｏｐｐｌｅｒｂｒｏａｄｅｎｉｎｇ）Ｓ参数......
ZnO压敏电阻因其优异的Ⅰ-Ⅴ非线性和较高的浪涌吸收能力而广泛应用在电子、电力设备和系统上.同时近年来纳米材料在各个方面的应......
光激励发光材料作为一种新型的材料广泛应用在红外探测、成像、光存储、光学信息处理、辐射计量测定等方面.本论文首先对光激励发......
用改进的垂直气相法生长的富镉 Cd Se单晶 ,其电阻率为 10 7Ω· cm量级 ,电子陷阱浓度为 10 8cm- 3量级 ,且能将注入其中的部分电......
对SrS :Eu和SrS :Eu ,Sm激发初始阶段的荧光上升过程和余辉进行了研究 ,并进一步考证其中电子陷阱的属性 .通过两种样品和两个阶段......
利用微弱信号的微波吸收相敏检测技术,获得了纳米硫化镍增感的立方体溴化银乳剂中,在增感时间增加的条件下,自由光电子和浅束缚光......
测量了SrS∶Eu，Sm的吸收光谱在陷阱饱和与倒空状态下的差异，由此讨论了在陷阱饱和时不同能量位置空穴和电子的分布，通过在近红外区Sm3......
利用微波吸收相敏检测技术 ,对AgBrI T颗粒乳剂中自由光电子与浅束缚光电子时间行为进行了检测 ,结果表明在一级衰减曲线的不同区......
聚四氟乙烯、聚乙烯、有机玻璃等介质材料因其良好的透波性能和优异的机械性能被广泛用作高功率微波的输出窗口,但关于窗口加工处......
利用微波吸收相敏技术检测了硫增感条件下的卤化银光电子衰减行为,获得了硫增感乳剂的自由光电子和浅俘获光电子的时间分辨谱信号.......
ZnS:Cu,X(X = Cl,Br,I) ACEL 荧光粉的性质主要决定于 Cu 发光中心的电子发光复合、ZnS 点阵中电子的注入效率、诱捕电子和逃逸电......
在BaFBr:Eu2+中掺入Si4+合成了一种新的X射线影像板材料,其主要光激励发光(PSL)性能,如射线敏感度和长波可激发性都优于低价阳离子......
本工作利用微波吸收介电谱技术检测了硫增感立方体氯化银微晶光电子的衰减时间谱,并根据实验结果建立了硫增感氯化银微晶的动力学......
卤化银乳剂微晶体的光电子行为是影响照相感光度的重要因素,本文就光电子研究方法、光电子衰减、电子陷阱、本征与外来带电中心对......
ＰＤＰ中的蓝色荧光粉是ＢＡＭ单相和Ｂａ－β氧化铝的混合体。蓝色荧光粉的退化主要是位移氧附近的深能态电子陷阱。这种电子陷阱增加了非辐射发射，退......
从量子力学出发利用变分原理采用尝试波函数，探讨了不同情况下卤化银微晶中掺杂中心的势阱深度和捕获半径之间的对应关系。利用得出......
我们观察到了石英375℃热释光峰存在灵敏度的变化。把石英作为剂量计来使用时，应当对375℃热释光峰作适当校正，以保证辐射源强度标定......
详细介绍了电子陷阱的概念以及电子陷阱对自由光电子的束缚过程。给出了电子陷阱深度与光电子寿命之间的对应关系，并分析了起主要作......
利用微波吸收介电谱检测技术测得了还原增感立方体氯化银微晶光电子衰减随增感条件的变化规律。实验发现，随增感条件的不同，增感中心......
采用高温熔融法制备了Tb^3＋掺杂ZnO-B2O3-SiO2玻璃，通过荧光光谱、余辉衰减曲线、热释发光光谱以及紫外-可见吸收光谱等方法的测试分......
研究了典型红外激励发光材料XS：Ra，Sm（x=Sr，Ca；Ra=Ce，Eu）的激励发光过程中电子与空穴的俘获中心及其转移过程，通过激发前后的红外吸收光谱......
电子陷阱掺杂剂通过改变卤化银微晶的内部结构来影响光电子寿命和填隙银离子行为,从而能有效地改善卤化银感光性能.本文主要介绍采......
根据成核-生长模型详细阐述了卤化银微晶中电子陷阱与空穴陷阱的概念以及电子陷阱在感光过程中的作用,着重于介绍如何优化电子陷阱......
针对晶体中光电子涨落的特点，分析了光吸收激发和热激发中影响光电子产生的因素。在光电子的衰减阶段，不同的电了陷阱所起的作用不同......
介绍了浮栅技术的基本原理及应用情况.并对2种应用了浮栅技术的典型器件-浮栅MOS晶体管和神经MOS晶体管做了详细介绍,分析了他们的......
采用不同的应力偏压发现器件特性的下降程度随应力偏置电压的增大而增大．经过3×10^4s 40V高场应力后，蓝宝石衬底AlGaN／GaN HEMT......
光电子在卤化银材料潜影形成过程中发挥着重要的作用,光电子衰减行为在很大程度上决定于卤化银的晶体结构.采用光学与微波双共振技......
利用微波吸收相敏检测技术, 对AgBrI-T颗粒乳剂中光电子时间行为进行了检测, 并获得了自由光电子与浅束缚光电子的时间分辨谱. 实......
为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿......
介电常数分别为2.6的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）及介电常数为16的偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物（P（VDF-TrFE））两种不同的有机绝缘材料,通过溶液旋......
通过高温固相法在空气条件下制得Cd2Ge7O16∶Pr3+长余辉发光材料. 测其结构为一单相. 分析了Cd2Ge7O16, Cd2Ge7O16:Pr3+的激发光谱......
聚四氟乙烯、聚乙烯、有机玻璃等介质材料因其良好的透波性能和优异的机械性能被广泛用作高功率微波的输出窗口，但关于窗口加工处理......
本文利用微波吸收相敏检测技术,同时获得了硫增感AgBr I T颗粒乳剂,在不同增感条件下自由光电子和浅俘获光电子的时间衰减曲线,分......
探讨了GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性的产生机理，通过详细地分析论证，认为GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性与器件的沟道一衬底界面区的电......
由单电子晶体管（single—electron transistor，简称SET）构成的存储器具有体积小、容量大、功率消耗低等优点，可望成为继CMOS存储器之后......
通过对室温下的本征氮化镓材料进行不同波长（360nm-377nm）的光照，分析了本征氮化镓中的持续光电导及其复合机制。实验的结果证明了两......
针对卤化银感光材料潜影形成过程中光作用动力学问题,分析了曝光强度对光生载流子行为和电子陷阱效应的影响,认为伴随着曝光强度的......
采用纳米硫化铅作为增感剂对边长为0.8μm的溴化银立方体颗粒进行了化学增感．利用微弱信号的微波吸收相敏检测技术，在超短脉冲激光作......
选取光电倍增结构探测器,在聚(3-己基噻吩)(P3HT)∶[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PC61BM)中掺入小比例碳60(C60)作电子陷阱,研究了在陷......
本文利用微波吸收相敏技术检测了硫增感条件下的卤化银光电子衰减行为，同步获得了硫增感乳剂的自由光电子和浅束缚光电子的时间分辨......
少子寿命测试技术是监控单晶硅中杂质和缺陷的数量及性质的重要技术手段。基于常规光电导少子寿命测试的基本参数,研究了不同性质......
本文通过多种实验手段,着重从机理方面,探讨了YAG:Nd激光晶体色心形成的原因和消除的方法。研究并解释了不同温度的退火,对于消除......
