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灰化工艺相关论文
高性能42nm栅长CMOS器件
研究了20~50nmCMOS器件结构及其关键工艺技术,采用这些创新性的工艺技术研制成功了高性能42nm栅长CMOS器件和48nm栅长的CMOS环形振荡......
期刊
42nm栅长
CMOS器件
超陡倒掺杂
灰化工艺
高选择比
高各向异性
Co/Ti自对准硅化物
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