CMOS器件相关论文
条纹相机(包括X射线条纹相机和可见光光学条纹相机)是一种高时空分辨的诊断设备,在激光惯性约束聚变(ICF)物理实验研究中具有非常......
伴随着微电子技术的飞速发展，CMOS器件的集成度越来越高，使得晶体管的特征尺寸越来越小。随着晶体管尺寸的减小，介质层正在以超摩尔定......
CMOS器件是对光敏感的光学电子元件,当γ/X射线通过CMOS器件时,会在相应的介质上发生电离作用,产生可被传输的电荷,继而产生电信号......
文章提出以嵌入式结构将高速大面阵光学传感器、高速DSP数字信号处理器和大容量高速电子硬盘三者进行有机结合,形成一个高速大面阵......
建立了CMOS电子元器件中质子、电子和光子辐照损伤 (电子 空穴对和离位原子浓度 )计算模型。利用微机化的电子 光子簇射过程模拟......
自从60年前的数字革命开始,电子行业已经发生了许多变化,但有一种情况却一直未变:每个电子系统中的同步数据传输参考频率由石英晶......
运用两种不同的纳米尺度或原子尺度测量分析方法分析同一个样品,对完全掌握一种材料或产品的属性至关重要,这种优势互补的分析方法......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
文章研究了CMOS器件(LC54HCO4RH)60Coγ射线的总剂量辐照实验以及辐照后在100℃温度场下的退火效应.实验发现,辐照后,器件在加温和......
近年来,随着工艺的不断进步,硅基集成电路已突破了仅适用于数字电路和低频模拟电路的传统观念,迅速拓展到毫米波甚至亚毫米波频段......
演进曲线之外的威胁LED的光输出现在每18个月(甚至更短时间)就翻倍,如今市场上已有光效达到120 lm/W的器件,而领先的实验室甚至都......
主要介绍了长线在线测试系统在60 Co源辐射场中的应用。实验中 ,解决了辐射场低能散射对小电流测量带来的影响问题。在线测量减少......
应变硅衬底材料--弛豫SiGe层作为应变硅技术应用的基础,其质量的好坏对应变硅器件性能有致命的影响.综述了近年来用于纳米CMOS电路......
1引言60年代末期,CCD器件和CMOS器件的发展几乎同时起步.由于早期CMOS图像传感器成像质量不如CCD器件,所以在过去20多年中,CCD器件......
MOS管或IC在辐照以前，使其在较长时间内(约200h)处于一定的高温(120。C)下并加偏压。这一作用会改变器件对电离辐射的响应。器件会......
基于近几年的文献报道，综述了110GHz以上固态功率放大器的现状和电路结构。归纳了每个固态放大器的工作频率、制作工艺、最大输出功......
空间辐射效应是影响器件空间性能的重要因素，特别是单粒子锁定现象一直是困扰CMOS器件在空间应用的一个难题。为此，文中分析了空间单......
自对准硅化钛工艺有许多重要的优点.但也存在栅氧化物的完整性、硅化物桥接短路、pn结损伤、二极管特性退化等问题.文章针对这些问......
在研究体硅CMOS器件的闭锁窗口现象时，发现了一种新的抗闭锁方法——伪闭锁路径法。文章介绍了这种方法的基本原理，开发了一种抗闭锁......
介绍了低能X射线和γ射线的辐照剂量及器件阈电压漂移的测试方法.讨论了不同偏置条件和辐照方向对器件效应的影响.结果表明,对镀金......
在60Co γ射线辐射场中采用Pb/Al屏蔽和非屏蔽的方法,研究比较了低能散射对CMOS器件电离辐射效应的影响.在理论计算基础上,设计了P......
以N管阈值电压作为表征参数，对典型CMOS器件CC4007在稳态和脉冲吖辐射下的辐射效应与退火特性进行了实验研究，初步探讨了辐射损伤与......
中、大规模CMOS器件受到瞬态辐射时,出现了闭锁单窗口、多窗口现象.为了获得闭锁窗口的出现原因,借助对窗口现象的有关参考文献的......
在门级电路的可靠性概率评估方法中，基本门的故障概率P一般人为设定或以常数形式出现．考虑到不同基本门的故障概率具有随时间变化的......
推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor）已经扩充针对高速可寻址远程传感器（HART）通信协议之工业通信应用的调制解调器系列。......
祝彩霞，王泰昆．IMAGE仪器2LHR采集单元PA板的维修．物探装备，2006，16（4）：268-269本文针对2LHR型采集单元PA板维修难度大的情况，对PA板的电路......
结合最近开发的绝缘油耐压测试仪中出现的CMOS自锁现象,系统分析了在电路设计中尤其是强电磁场等特殊环境下普遍存在的CMOS器件自......
对CMOS器件54HCT00进行了复合材料的二次包封,研制了试验电路板,在器件加电工作下进行电子辐照试验的动态测试.结果表明,二次封装......
对全耗尽SOI（FD SOI）CMOS器件和电路进行了研究，硅膜厚度为70nm，器件采用双多晶硅栅结构，即NMOS器件采用P^+多晶硅栅，PMOS器件采用N^+多......
本文介绍了利用CMOS传感器测量汽车前照灯照度分布规律的原理及方法,给出了该系统的构成,并分析了系统的误差来源.......
常用的MOSFET模型模型参数多且复杂,在保证精确度的基础上应尽量简化模型。尝试采用目前比较成熟通用的MESFET非线性等效电路经验......
重点介绍器件进入纳米尺度后出现的 MOSFET/SOI器件的新结构,如超薄 SOI器件、双栅 MOSFET、 FinFET和应变沟道等 SOI器件,并对它......
介绍了垂直沟道器件的常见结构和工艺,分析了垂直沟道器件的最新进展以及垂直沟道器件制作工艺中的最新技术,详细讨论了垂直沟道器......
利用注硅固相外延的方法对0．2μm SOS薄硅膜材料进行改性，并制作了单管pMOSFET，nMOSFET及54HC04电路，测量了单管的迁移率，并对样品进行......
成功制备了EOT(equivalent oxide thickness)为2．1nm的Si3N4／SiO2(N／O)stack栅介质，并对其性质进行了研究．结果表明，同样EOT的Si3N4／SiO2 ......
编者按:北京市大学生电子设计竞赛于2004年10月16日在北京举行.参加本次竞赛有的39所高校的514个代表队,其中获得一等奖的有51个队......
对适用于深亚微米CMOS器件的各种自对准硅化物工艺进行了讨论,并对不同硅化物薄膜的特性进行了分析.结果表明,随着大规模集成电路......
从效应研究的角度出发，利用Labview软件，自行研制了基于PCI插卡式虚拟仪器的CMOS器件脉冲总剂量效应在线测试系统，详细介绍了其硬件结......
利用"强光一号"加速器对部分CMOS器件开展了脉冲总剂量时间关联的辐射效应实验,研究了脉冲辐照后阈值电压漂移与时间的关联响应,以......
近年来,保护自然环境意识开始深入人心,也加速了电子产品低功耗化.作为降低电子产品能耗的方法,可概括地归纳为以下3种:(1)低电压......
CMOS图像敏感器应用于星敏感器设计是当前国内外研究的热点.本文采用CMOS图像敏感器STAR250结合当前先进的ARM(RISC)技术,设计了具......
本文采用0.25微米工艺制备了CMOS器件和电路,通过对300K、77K和4K温度下器件和电路特性的测量,研究了工作温度降低对CMOS电路特性......
详细介绍了应变Si技术产生的起因及特性、应变Si器件的优势、应变Si器件应用中存在的问题并对应变Si技术的市场应用前景作了简单的......
在解释CMOS器件辐射感应的闭锁窗口现象时,提出了所谓的'三径'闭锁窗口模型.在分析CMOS器件闭锁电路模型的基础上,简要介......
延迟失效是CMOS器件静电损伤中90%的现象,大大地影响了机器使用过程中的准确程度,因此对CMOS器件采取防静电措施的实施是十分重要......
探讨了对某工业级DDS零部件抗单粒子锁定电路稳固规划原理,对体硅CMOS器件单粒子锁定道理进行详细的阐述,并对立单粒子零部件创造......
