特征通态电阻相关论文
基于AlGaN/GaN异质结构材料,制备了击穿电压为1050V,特征通态电阻为4.0 mncm2的电力电子器件。研究了不同场板长度对器件电学性能......
低压功率沟槽MOSFET以其输入阻抗高、开关速度快、输出电流大和热稳定性好、安全工作区大等优点，在电源保护、开关电源、DC/DC变换......
