器件模拟相关论文
热活化延迟荧光（thermally activated delayed fluorescence,TADF）材料因其高效、低成本等优点而成为显示领域的新宠。然而适用于TAD......
有机半导体器件的发展给人们的工业生产和日常生活带来了极大的便利,然而其效率仍无法满足人们的需求,因此迫切需要更深入地了解器......
铜铟镓硒（Cu（In,Ga）Se2,CIGS）太阳能电池,目前是薄膜太阳能电池中转换效率最高的,以其优异的特性和稳定的器件性能,在科研界备受关注,......
进一步研究二个问题：（１）理论模拟的方法由快速傅里叶束传播法（ＦＦＴ－ＢＰＭ）改为有限差分束传播法（ＦＤ－ＢＰＭ），并比较了两者的优缺点。（２）模拟设计了对象提高为由ＧｅＳｉ合金......
采用GaN HEMT工艺,解决了GaN功率HEMT材料结构、大信号模型提取、电路设计、芯片测试等难题,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软......
采用SILVACO软件的ATLAS对双有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管进行二维器件模拟,研究了在底栅顶接触的结构下,不同沟道厚度比的情......
钙钛矿太阳能电池具有廉价高效的优异特性,备受光伏研究者关注,短短十年,它的最高转换效率就达到25.2%,与Si基太阳能电池相当。但......
该文介绍了一种纳米电子器件:谐振隧穿二极管(RTD),它是一种新型GaAs衬底二端口器件,具有高速和双稳态两大特性.该文详细介绍了谐......
三结砷化镓太阳电池工艺和结构优化使其效率可达30%以上,将成为空间太阳电池服役的主要产品。本文将利用空间环境地面模拟装置以及......
低压功率沟槽MOSFET以其输入阻抗高、开关速度快、输出电流大和热稳定性好、安全工作区大等优点，在电源保护、开关电源、DC/DC变换......
Cool MOS具有优越的直流特性.为了设计出一个600V CoolMOS结构,首先CoolMOS的结构人手,结合电荷平衡理论,分析了其高击穿电压BV、......
提出了一种应用网络分布式计算即 CORBA技术进行半导体器件并行模拟的新技术 ,讨论了基于 CORBA的网络分布式平台上的并行设计方法......
给出了电子与空穴电流密度方程和能流密度方程的一种新的离散方法，并成功地用于基于流体动力学模型和差分离散的半导体器件的数值模......
应用器件模拟软件SILVACO模拟三种结构重掺杂型衬底中注入高频电流的分布，根据模拟结果分析得出重掺杂型衬底的简化模型为一单节点，......
在常规混合模式晶体管的基础上提出一种新结构的器件—— Si- Ge异质结基区混合模式晶体管。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合......
对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是AlGaN/GaNHEMT大信号模型的最重要部分之一.Materka模型考虑了夹断电压与Vds的关系,其模......
使用SILVACO公司的器件模拟软件ATLAS对AlGaAs/GaAs共振隧穿二极管(RTD)进行了器件模拟,得到了不同结构的RTD的I-V特性曲线.对量子......
简介了 TCAD 软件对碲镉汞器件结构优化的意义;对单色碲镉汞光电器件结构进行模拟以及对存在的问题进行了分析;介绍了双色 MW-MW ......
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108 Ωcm,有利于降低寄生电容,......
本文介绍我们开发的一款适用于半导体器件及其辐照损伤效应定量模拟的三维并行仿真应用软件平台3Ddevice.该软件由中国科学院数学......
研究了势垒层掺杂的GaN基HEMT结构上的帽子层对该器件电学特性的影响。并对i-AlGaN,i-GaN,i-InGaN3种不同材料的帽子层进行比较。......
HgCdTe光伏探测器在第二代和第三代红外探测器中处于主流地位。如何降低探测器的暗电流直接关系到探测器的噪声和灵敏度，其分析计算......
亚微米MOSFET的热载流子效应会引起器件的失效，文中分析了热载流子效应引起器件失效的机理和物理模型，对该效应的内部电场、衬底电流......
应用器件模拟软件SILVACO模拟三种结构重掺杂型衬底中注入高频电流的分布，根据模拟结果分析得出重掺杂型衬底的简化模型为一单节点，......
为简单快速模拟静态随机存储器（SRAM）~单粒子效应，在二维器件数值模拟的基础上，以经典的双指数模型为原型，通过数值拟合得到了单粒子效......
采用解析模型模拟了4H-SiC混合PiN/Schottky二极管(MPS)的功率损耗及反向恢复,研究了外延层掺杂浓度和厚度、PN结网格宽度等主要的......
在HBT工艺基础上,通过对器件结构的特殊设计,研制出了一类新型三端负阻器件,其恒压控制型负阻的PVCR大于800,并伴有恒流控制型负阻......
采用ADI与高阶紧致差分相结合的方法计算大型非对称稀疏矩阵，并实现了该算法在半导体器件模拟中的应用。数值计算表明。这种方法可......
使用Atlas软件模拟了肖特基栅共振隧穿三极管。通过改变发射极长度、栅极金属和上层AlAs势垒的距离以及靠近AlAs势垒的GaAs层浓度，......
采用三次样线方法（SADI）与高阶紧致差分相结合的方法计算用于半导体器件模拟的漂移扩散模型（DD）模型，并实现了该算法在半导体器件模拟中......
从二维模拟pMOS器件得到沟道空穴浓度和栅氧化层电场，用于计算负栅压偏置温度不稳定性NBTI（Negative bias temperature instability）......
利用工艺和器件模拟软件TSUPREM-4和MEDICI，研究了工艺参数对DC—DC转换器中的功率沟槽MOSFET的通态电阻Ron、栅-漏电容Cgd的影响以......
简要介绍了二维半导体器件模拟软件MEDICI的基本特点和使用方法;应用MEDICI程序对MOSFET的总剂量效应、PN结的剂量率效应进行了仿......
利用ISE软件的水动力学模型对不同材料结构的AlAs／GaAs／inGaAs双势垒共振隧穿二极管（DBRTD）直流特性进行了模拟。当势垒厚度、势垒高度......
研究了同一P阱内两个130nmNMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应。使用TCAD仿真构造并校准了130nmNMOS管。研究了在有无P......
主要介绍了半导体器件模拟中的几种物理模型和三角形网格自适应划分的算法。并以泊松方程为例，介绍了如何在网格中进行方程的离散化......
通过分析非对称型门极换流晶闸管缓冲层的特性，提出了缓冲层结构的设计方法，根据该设计方法建立了门极换流晶闸管的结构模型，利用MEDI......
研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件......
利用化学湿法选择技术和监控电极技术设计并研制了一种新型台面结构超薄基区AlGaAs／GaAs负阻异质结双极晶体管，该器件具有独特且显著......
报道了GaAs基共振隧穿二极管（RTD）与金属-半导体-金属光电探测器（MSM PD）单片集成的两种光电集成电路，并在窒温条件下分别测试了RTD器件......
通过流片,制作出肖特基栅共振隧穿三极管（SGRTT） .根据ATLAS软件的模拟发现,当发射极接地,集电极接外加偏压时,栅极电压对于SGRTT的......
采用样条分步法SADI与高阶紧致差分相结合的方法,计算用于半导体器件模拟的流体力学模型.数值计算表明,相比当前最为流行的两种器......
由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度，人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究，其中最重要的纳米尺度器件是基......
为提高4H-SiC双极晶体管（BJT）的耐高压能力，采用SentaurusTCAD半导体器件模拟软件对采取结终端扩展（JTE）和浮空场限环（FFLRs）两种基本结终......
为了处理纳米MOS场效应管的量子效应，在蒙特卡罗模拟中引入有效势量子修正，并提出了基于PC机群的三维并行模拟算法．该算法在每个节点......
采用适合于亚微米器件模拟的流体动力学模型(HDM),对SiGe HBT的亚微米器件模拟软件进行了设计.在SMDS 1.0模拟软件[1]的基础之上,......
在经典弹道输运模型中引入源漏隧穿(S／D tunneling)，采用WKB方法计算载流子源漏隧穿几率，对薄硅层(硅层厚度为1nm)DG(dual gate)MOSFE......
