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用于ULSI电路的超薄栅介质膜研究
制备出6~7nm超薄栅NMOSFET。通过对器件性能的研究发现,适当条件下N2O制备的超薄SiOxNy膜比SiO2膜更适合ULSI的应用。......
期刊
超薄栅介质膜
击穿特性
ULSI
甚大规模
集成电路
Ultrathin dielectric filmBreakdown characteristicsLea
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