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退火对AlGaInP/GaInP多量子阱LED外延片性能的影响
采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.研究表明退火对外延片性能有重要影响.与未退火样品相......
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