电学非线性相关论文
采用传统混合氧化物工艺在800℃经4小时烧结制备了0.01-0.2mol%Bi2O3掺杂的ZnO-V2O5-SnO2(ZnVSnO)基压敏陶瓷,采用电子天平、SEM、......
半导体量子点玻璃是一类重要的复合纳米材料，在纳米科技中占有重要地位。半导体在玻璃基体中生长形成具有纳米尺寸的量子点，这是一个......
1969年Matsuoka发现ZnO压敏陶瓷材料以后，ZnO压敏材料开始受到人们广泛和深入的研究。20世纪80年代的中后期，ZnO压敏材料的理论研究......
由于在电子设备方面的潜在应用，具有特殊功能的电子陶瓷越来越受科研工作者的关注。作为电子陶瓷的一种，压敏陶瓷的基本功能是限制和......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
研究了Sr对新型(Co, Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响.当SrCO3的含量从零增加到1.50mol%时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电......
研究了Cd对(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响.组分为97.65%SnO2+0.75%Co2O3+0.10%Nb2O5+1.50%CdO的压敏电阻具有最大非线性......
目前电子陶瓷工艺普遍采用ZrO2球作为磨介.为了弄清ZrO2球磨损对压敏瓷性能的作用,系统研究了ZrO2对(Co,Nb)掺杂SnO2瓷的压敏和介......
采用传统陶瓷工艺制备了MgSiO3掺杂的防雷用ZnO压敏电阻。实验发现，掺杂0．04％的MgSi03（物质的量）能显著提高其电流-电压非线性、通流能......
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采用传统陶瓷工艺制备了(1 ? x) SnO2 + x Zn2SnO4复合陶瓷,并测试了样品的电流-电压非线性关系。结果表明:随着Zn2SnO4含量的变化......
烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的.为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%Co......
