晶界势垒相关论文
在信息存储技术日益发展的今天,存储器成为当代集成电路产业中最重要、最基础的部件之一。存储器的高集成度、较大的存储容量、高......
Pr6O11压敏陶瓷是一类新型的压敏电阻材料,是我们课题组最早发现的。与传统的ZnO压敏电阻材料相比,纯Pr6O11陶瓷具有非线性电学行......
1969年Matsuoka发现ZnO压敏陶瓷材料以后，ZnO压敏材料开始受到人们广泛和深入的研究。20世纪80年代的中后期，ZnO压敏材料的理论研究......
该文首先对用于测量半导体器件电学性质的仪器Source Meter和LCR Meter的原理做了简要介绍,同时也对两台仪器的相应软件开发过程及......
本学位论文是关于BaSnO3半导体陶瓷材料的制备技术及电性能方面的研究。首先，通过对传统的固相烧结法制备工艺进行改进和优化，包括引......
本文研究的主要内容是新型半导体氮化铟(InN)的电学输运性质。InN在光电子和微电子器件领域有很好的应用前景。然而它的一些基本性......
研究了ZnO玻璃系压敏电阻的材料组成对其微观结构和电性能的影响.发现玻璃料的添加量 w玻璃料一般在8.0 %～10.0 %时效果最佳.Sb2O3......
采用离子注入技术对近距离升华制备的CdTe薄膜进行Er3+掺杂研究.讨论了不同掺Er3+浓度对CdTe薄膜的结构和光电性能的影响.利用X射......
研究了具有热分解氧化反应的CuO、MnO2等的一类氧化物对TiO2压敏电阻器性能的影响,采用C-V分析、I-V测量和介电测量等实验手段,分......
期刊
研究有受主态扩散层的Schottky势垒型半导体陶瓷的晶界势垒.通过建立简化模型,引入参数K(扩散层内与耗尽层内的正空间电荷浓度之比......
为了适应市场对低压集成电路过流保护作用的PTC热敏陶瓷的低阻化要求,采用还原-再氧化的烧结工艺来制备多层片式PTC热敏陶瓷。本文......
对Cu（In1-xGax）Se2（CIGS）太阳电池J-V特性曲线进行了测试和分析,采用Matlab软件进行计算,得到电池的二极管品质因子、反向饱和电流密度......
通过对尖晶石系NTC热敏电阻材料导电机理的讨论和目前研究现状的综合分析,认为跳跃导电模型可以成功地解释NTC热敏电阻材料许多性......
以二水合醋酸锌为原料，采用sol-gel法在石英衬底上制备了ZnO薄膜。用AFM观察表面形貌，通过测量真空条件下不同温度热处理后薄膜的I-V......
采用逐层研磨及电测量的方法,对800～1050℃不同温度下,热处理的SrTiO3陶瓷电容–压敏元件的表面氧化层进行了研究.结果表明:该类元......
从传感器气敏材料的电阻微小变化中可得到许多有用的信息，其电阻对材料的温度非常敏感。实验中所用传感器的气敏材料是在配有加热器......
通过电容-电压（C-V）测试，测量得到了TiO2WO3压敏电阻的晶界势垒高度以及施主浓度等参数，测试结果显示99．75mol％TiO2＋0．25mol％WO3的样品势垒......
讨论了氮化硼(BN)掺杂对(Ba,Pb)TiO3热敏陶瓷的热学性能、电学性能及晶粒尺寸的影响,指出了传统的PTC陶瓷电阻达到最大值后下降较......
近些年来随着自动化控制电路和半导体技术的发展,人们对压敏材料的要求趋向于多功能化和低压化,TiO2压敏电阻作为一种电容—压敏多......
压敏电阻器被广泛地应用于各类电子设备和电力系统中,抑制瞬时高压、输电线路浪涌电流。然而,日益发展的科学技术促使小尺寸、低压......
为从微观层面上解析ZnO压敏陶瓷MOV的宏观伏安特性，根据电镜和深能级瞬态谱（DLTS）的观测结果，结合试验实测几种规格MOV小电流和大电流......
透明导电氧化物(TCOs)薄膜是把光学透明性能(可见光)和电学高导电性能复合在一体的光电材料。在电学性能方面,透明导电薄膜具有高......
钛酸锶基压敏陶瓷是上世纪八十年代发展起来的一种新型多功能半导体陶瓷材料，有压敏电压低、非线性系数高、介电常数高、介电损耗低......
学位
以中间夹层的 Schottky 势垒作为晶界层电容器晶界势垒,从理论上分析、推导了电流电压关系和电容电压关系。利用这些关系式对实验......
通过传统陶瓷制备工艺制备了SnO2-Zn2SnO4陶瓷复合物,与某型号商用SrTiO3压敏-电容双功能陶瓷对比了电学性能。结果显示,尽管二者......
TiO2基压敏陶瓷是一种具有压敏特性的半导体功能材料，其突出的优点是压敏电压低和介电常数高等，可用于低压领域起过电压保护和浪涌吸......
本文针对非掺杂多晶半导体薄膜晶体管（Thin Film Transistors, TFTs）的晶粒间界势垒提出了一个适用的解析模型。首先，我们成功建立了......
