电致阻变性能相关论文
SiOx基薄膜具有与当前CMOS半导体集成电路工艺兼容的先天优势,是新概念存储技术-RRAM的理想侯选材料,而当前国际上相关研究尚处在......
在一个三明治结构金属电极/绝缘层或半导体层/金属电极(MIM)中,电极两端外加电场,器件的电阻会发生可逆变化,包括非易失性的阻变(......
