直流偏场相关论文
超高密度固态布洛赫线存储器（BLM）是以硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线（VBLs）作为信息载体,所以硬畴畴壁中VBLs产生及其稳定性的研究对超高密......
文章对金属软磁粉芯的损耗和交直流叠加等问题进行了较详细的描述和讨论,由结果可以看出同一系列的产品规格相同，μe值由26,75,90,1......
本实验研究了含Lu样品(硬磁畴只能产生OHB和ID)中的第一类哑铃畴在直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下的自发收缩现象.实验发现......
该文实验研究了含Lu样品中的硬磁畴(含Lu样品中只能产生OHB和ID)在面内场作用下行为.首先,实验研究了直流偏场"整形"和面向场交替......
本文研究面内磁场作用下第一类哑铃畴的条泡转变与固定直流偏场（Ｈｂ）ｆ的关系。实验结果显示：（１）使ＩＤ发生条泡转变包需的面内场（Ｈｉｐ）ｓｂ随所高定的直流偏......
实验研究了直流偏场和面内场共同作用第Ⅰ类哑铃畴（IDs）的条泡转变现象．实验表明：1）存在3个特征直流偏场，即：条泡转变后的磁畴均为软泡的......
实验研究了直流偏场（Hb）下,面内场（Hip）对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线（VBL）稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴......
实验研究了直流偏场为0时形成的枝状畴的一些动态特性,发现由这些枝状畴形成的硬磁畴均顺时针转动,通过与固定直流偏场下形成的硬......
实验研究了直流偏场（Hb）和面内场（Hip）联合作用下,液相外延石榴石磁泡薄膜中第Ⅰ类哑铃畴（ID）畴壁中垂直布洛赫线（VBL）的解体.通过实验得到......
实验研究了直流偏场和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中普通硬磁泡的条泡转变现象.实验表明,在室温下所有硬磁泡经条泡转......
针对BaxSr1-xTiO3(BST,钛酸锶钡)材料在直流偏场下的电性能的变化,设计出一种直流偏场下BST电性能参数计算机测试系统。该系统测试......
研究石榴石磁泡膜中硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性可为研制布洛赫线存储器提供有益的帮助. 3类硬磁畴的形成是研究硬磁畴稳定......
研究了直流偏场和面内场联合作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,室温时在Hb和......
实验研究了直流偏场“整形”和面内场交替作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线（ＶＢＬ）的消失规律，发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解......
实验对在固定直流偏场下产生的硬磁泡（OHB）畴壁中垂直布洛赫线（VBL）的分布均匀性进行了研究.实验发现,泡径越大的硬泡,缩灭场就越大,VB......
1983年，Konish提出了超高密度布洛赫线存储器（BLM）方案。BLM存储技术采用条状磁畴中的负布洛赫线（VBL）对作为信息的载体，以VBL对的有无来......
研究了直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃畴畴壁中VBL链的消失,即软化过程.实验发现,当直流偏场Hb＞Hsb'时,第Ⅰ类哑铃畴的......
