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硅外延掺杂剂相关论文
UHV/CVD方法N型掺杂Si外延数学模拟研究
硅外延掺杂剂的掺入,输入分压是影响掺杂浓度的最重要的因素。在UHV/CVD方法进行硅外延掺杂实验中,掺杂剂气体分解为若干种气体,这些......
会议
方法
掺杂浓度
硅外延掺杂剂
数学模型
气体分压
掺入
生长温度
掺杂效率
体分解
热力学
输入
实验
计算
干种
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