掺杂效率相关论文
硅外延掺杂剂的掺入，输入分压是影响掺杂浓度的最重要的因素。在UHV/CVD方法进行硅外延掺杂实验中，掺杂剂气体分解为若干种气体，这些......
以GaN为代表的宽禁带III族氮化物在高能、高频、功率以及光电器件中有重要的应用的价值。由于晶体结构中心不对称，材料中存在着强的......
AlGaN半导体是制备紫外光电器件的理想材料，其深紫外光源器件在照明、杀菌消毒、环境净化、以及高密度光学数据存贮等方面有着重大......
近年来，宽禁带氧化物半导体材料ZnO由于其在短波长发光器件及紫外探测器等方面的巨大应用前景，受到了国内外学术界的广泛关注。与ZnS......
作为宽禁带氧化物半导体,ZnO有宽直接带隙、大激子束缚能和高电子饱和速度,被预期在低阈值室温激光器、高效率发光二极管和异质结......
透明导电ZnO∶Al(AZO)薄膜因其优异的电学和光学性能而被应用于太阳能电池和平板显示等领域。AZO透明导电薄膜因其原材料丰富且无......
不同H2气氛中通过RF磁控溅射在石英衬底上制备Li-W共掺杂ZnO(LWZO)薄膜.对样品进行X射线衍射、扫描电镜(SEM)、X射线光电子(XPS)、......
介绍一种分析ａ－Ｓｉ掺杂效率的新方法。该法能够很好地解决ａ－Ｓｉ全掺杂范围内掺杂浓度和掺杂效率的计算问题，简便易行，为ａ－Ｓｉ掺杂性能研究和器件设计......
证明了分配系数ｄ是气相浓度Ｘｐ（ｇ）的解析函数，其系数由ａ－Ｓｉ：Ｈ生长期间界面上固／气相平衡反应常数决定。ｄ这种性质致磷掺杂固相效率可藉助Ｘｐ（ｇ）进行解析计......
利用自由基辅助磁控溅射法在载玻片衬底上制备了透明导电ZnO：Al薄膜（简称AZO薄膜）.研究了氢气气氛中后续退火处理对Al掺杂效率以及AZO......
本实验选择较轻元素镁和较重元素锌对n~-InSb进行离子注入,用LSS理论估算了注入离子浓度和结深,结合霍耳测量结果就理论值与测量值......
本文通过测量掺杂ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－ＳｉＣ＂ｈ薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明（１）杂质激活......
以葡萄糖为碳源,半胱氨酸盐酸盐为氮、硫共掺杂剂,分别采用热解法和水热法制备了两种氮、硫共掺杂的碳量子点(N,S-CDs),并比较了用......
本文介绍了SiH4/PH3混合气体的高频辉光放电法，在硅、玻璃衬底上淀积的掺P氢化非晶硅膜的结构和特性，并对样品作了高温退火试验，应用x......
对RF-PECVD技术沉积p-nc-Si:H薄膜材料进行了研究.随着功率的增大材料的晶化率增大.B的掺杂可以提高材料的电导率,同时会抑制材料......
有机电致发光器件(Organic light-emitting device,OLED)因具有成本低、主动发光、驱动电压低、响应速度快、视角宽及可柔性显示等......
本文对在ＩｎＳｂ及ＧａＡｓ衬底上用分子束外延生长的ＩｎＳｂ分别以Ｂｅ和Ｓｉ作ｐ型和ｎ型的掺杂作了研究。当衬底温度超过３４０℃时，利用二次离子质谱技术，在ＩｎＳｂ衬底上生长时，发......
介绍一种分析ａ－Ｓｉ掺杂效率的新方法．该法能够很好地解决ａ－Ｓｉ全掺杂范围内掺杂浓度和掺杂效率的计算问题，简便易行，为ａ－Ｓｉ掺杂性能研究和器件设计制......
