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Heteroepitaxial Growth and Characterization of 3C-SiC Films on Si Substrates Using LPVCVD
3C-SiC films have been deposited on Si (111) substrates by the Iow-pressure vertical chemical vapor deposition (LPVCVD) ......
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3C-SiC薄膜
低压化学水气沉积
硅底层
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