3C-SiC薄膜相关论文
3C-SiC因具有高耐热性（升华温度3000 K）、高硬度（莫氏硬度9.5级，仅次于金刚石）、高电子迁移率（1000 cm-2(V·s)-1）、高饱和电子漂移速率（2.......
采用HFCVD技术,通过两步CVD生长法,以CH4+SiH4+H2混合气体为生长源气,在Si衬底上生长3C-SiC晶体薄膜.对所制备的样品薄膜在氮气气......
引入了一种采用升华外延法在偏向4H-SiC衬底上生长3C-SiC的方法,提出了3C-SiC薄膜的生长模型,通过控制实现原位立方相3C成核,再沿......
立方碳化硅（3C-SiC）作为一种宽带隙半导体材料,具有高热导率、高临界击穿场强、高的电子迁移率,以及化学性能稳定,机械性能好等特性,......
用200kV六硼化镧灯丝的高分辨电子显微镜拍摄了外延生长在硅衬底的3C-SiC薄膜的[110]显微像。经过解卷处理和衍射振幅校正，把实验像......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
针对恶劣环境下MEMS对高强度材料的需求,采用化学气相沉积(CVD)外延生长3C-SiC薄膜.利用微力学操纵系统,对3C-SiC微悬臂梁进行了弯......
通过低压化学气相沉积方法,在Si（100）衬底上生长了高度择优取向的3C-SiC （100）薄膜。SiC （200）峰的摇摆曲线表明SiC薄膜的结晶质量随着丙......
碳化硅（SiC）是当前最有潜力的宽禁带半导体材料，它具有热稳定性强、机械强度高、抗腐蚀、抗辐照等特性，且3C-SiC与Si工艺兼容，这使其成......
