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稀磁半导体同时利用电子的电荷与自旋属性，一般是通过过渡金属掺杂半导体而得到。SiC在高能、高频、高温电子器件上有相对成熟的发......
In2O3基稀磁半导体是继ZnO基和GaN基稀磁半导体之后研究的新的热点。In2O3可见光透光率极高（达到了85％），导电薄膜电阻率低等优良特性促......
分子磁体以其质量轻、易加工等优点以及一些常规磁体所不具备的独特性质而受到理论和实验工作的广泛关注。而在分子磁体研制中存在......
对掺杂过渡金属（TM）制备得到的ZnO基稀磁半导体的磁性起源作了理论和实验两方面知识的调研，在理论方面主要介绍了几种磁性交换的模型：......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
稀磁半导体是新一代自旋电子器件的重要支撑材料之一。制备具有室温铁磁性的稀磁半导体,并探索其磁性来源,从而将其应用于自旋电子......
