与传统Si器件相比SiC器件具有优异的耐温、耐压、高功率密度和高频性能,但是目前基于Si IGBT和Si FRD的逆变器广泛应用于电力电子......

为了满足功率电路及系统设计对碳化硅基垂直双注入金属氧化物半导体晶体管（VDM OS）模型的需求,建立了一套基于表面势计算方法的可描......

连续同步复合法是一种建立在传统CVI原理基础上的制备碳布增韧陶瓷基复合材料的新工艺，在制备过程中碳布通过连续缠绕在旋转的石墨......

研究了炭纤维编织增强体的预处理工艺和基体致密化工对炭纤维增强碳化硅基复合材料性能的影响。研究表明，“涂层＋高温处理”工艺比单......

Irradiation-induced atomic-scale defects and lattice disorder in Silicon Carbide(SiC) can significantly affect the mater......