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磁阻传感元件相关论文
微型薄膜磁阻传感元件的磁畴和畴壁状态的转变过程
用Bitter粉纹技术研究了长×宽为40μm×300μm厚度为40nm的微型NiFe磁阻元件,在难轴方向反磁化过程中曲折状磁畴的转变过程,观察和分析了曲折状畴......
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微型薄膜磁阻传感元件在磁化和反磁化过程中的磁畴结构研究
应用Bitter粉纹技术观察和分析了微型磁阻传感元件在磁化和反磁化中磁畴结构变化的全过程,研究表明和元件中的Barkhausen跳跃密切相关的是反磁化非一......
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