薄膜磁阻相关论文
用Bitter粉纹技术研究了长×宽为40μm×300μm厚度为40nm的微型NiFe磁阻元件,在难轴方向反磁化过程中曲折状磁畴的转变过程,观察和分析了曲折状畴......
简要论述了汽车电子系统对传感器的要求,并介绍了磁性编码器的工作原理和性能特点。设计出一种采用新的高电阻率NiFeCr作为缓冲层......