GaN基稀磁半导体材料(diluted magnetic semiconductor，DMS)作为最有希望获得室温以上铁磁性的稀磁半导体材料，近年来在自旋电子学领......

稀磁半导体，尤其是Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体(Ga,Mn)As和(Ga,Cr)As是半导体自旋电子学的重要材料基础，它们既保持了常规半导体(p型)的特性，又......

作为第三代半导体的ZnO拥有优异的性能，可以作为各种器件的潜在应用。近期已经引起了学术界普遍的兴趣。大量的实验在其基础上开展，......

本论文主要利用多带的有效质量理论研究了半导体量子结构的磁光性质和激子态。全文共分六章，分别研究了含有单个磁离子的半导体量子......

在第一章，我们对稀磁半导体整个历史研究过程进行回顾，包括Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族以及Ⅳ族半导体掺杂过渡金属。另外，我们对两维的石墨烯以......

本文主要研究了Si共掺杂和高温退火对典型Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜的结构和磁性质的影响，主要内容如下：　　 (1)系统地研究......

本文基于有效质量理论研究半导体低维结构的自旋相关的物理性质，全文共分七章，分别研究自旋极化输运，自旋轨道耦合对二维电子气磁输运......

稀磁半导体由于同时具有磁性能及半导体性能，在电子材料方面蕴涵着巨大的应用前景，同时，优异性能的ZnO在不同领域得到了广泛的应用，因......

本文主要从理论计算方面对两种具有高居里温度的稀磁半导体和小尺寸TiO2纳米管进行了研究。应用密度泛函方法计算研究了Ge1-xMnxTe......

稀磁半导体是一类同时利用电子的电荷属性和自旋属性的自旋电子材料，具有重要的应用价值。近年来，对于稀磁半导体的制备技术和物理性......

本文从理论上研究了两类新型强关联电子材料—Mn掺杂的Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体和NaxCoO2体系的电子态和局域自旋之间的磁耦合方式，旨在阐......