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谐振腔增强型光电探测器的角度相关特性研究
采用MBE生长In0.3Ga0.7As/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱为有源区的器件结构材料,制备出工作在1060 nm及1310 nm波段的谐振腔增强型光......
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谐振腔增强型光电探测器
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