砷化镓相关论文
针对高线性度压控衰减器对正电压作为控制信号的需求，基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）0.25μm工艺，设计了一款1～6 GHz正电压控制......
文中设计并实际开发了一种基于砷化镓（Gallium Arsenide， GaAs）集成无源器件（Integrated Passive Device， IPD）技术的小型化高选择性宽带......
霍尔芯片是利用霍尔效应实现磁场测量的一种磁场传感器，灵敏度是霍尔芯片性能的核心指标，芯片的结构设计优化可以在现有材料和工艺基......
砷化镓（GaAs）是应用广泛的化合物半导体,由于高脆性的特点,其划切加工一直是晶圆制造的难题。激光辅助水射流技术适用于硬脆材料的微......
晶片切割时产生的粗糙度，是一种在很小间距内的表面凹凸现象，它是“光滑”或“粗糙”感觉的基础。针对砷化镓晶体多线切割工艺对后续......
研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN......
近年来,无线通信技术正在朝着高速率、高频段、强兼容性的方向发展,这要求无线通信设备的工作带宽更宽。带宽的拓展可以使得通信设......
超宽带（Ultra-wideband,UWB）系统因其高定位精度、低功率消耗以及高传输速率等优势,在学术界得到了广泛的关注与研究。其中的射频前......
太赫兹（THz）波有着许多优异的特性,如高频宽带性、低能性、高时间分辨率等,使其在无线通信、安全检测以及缺陷检查等领域有着巨大的......
基于碳纳米材料/体半导体范德华(vdW)异质结的光电器件可以同时实现碳纳米材料的超高载流子迁移率以及体半导体的优异光电性能,且......
20世纪以来,半导体工业被认为是世界上最重要的工业领域之一。在过去的几十年当中,人们发现了很多新型高性能半导体材料,并将它们......
针对微波通信等领域的整机系统对超宽带数控衰减器的需求,采用GaAs pHEMT 0.15μm工艺研制了一款DC～40 GHz带数字驱动的6位数控衰减......
现代通信技术以无线通信为主,在过去数十年间飞速发展,推动着社会往信息共享和高效互联的方向不断迈进。受智能移动电子产品的影响......
在硅(Si)上外延生长高质量的砷化镓(GaAs)薄膜是实现硅基光源单片集成的关键因素.但是,Si材料与GaAs材料之间较大的晶格失配、热失......
期刊
本文介绍了一款工作在1.5-8GHz频段的超宽带收发一体多功能芯片。芯片内部集成了4个单刀双掷开关和一个放大器。开关分别了采用串......
温度是电力传输设备中非电量测量的主要物理量之一,对维护电力系统的正常运行,提高供电可靠性起着至关重要的作用,对温度的精准把......
砷化镓（GaAs）材料是制作光电导太赫兹（THz）器件的最佳材料之一,研究砷化镓材料在太赫兹波段的光电特性和载流子超快动力学,对于优化GaA......
第五代移动通信(5G,5th Generation Mobile Communication)自2019年起已经逐渐开始商用化,新一代移动通信时代已经来临了。其中,以......
我国砷矿资源储量丰富,但大多属于共生矿和伴生矿,在长期开发过程中,开采出的大部分伴生(共生)砷资源进入了尾矿和冶炼渣中,由于砷......
采用0.5 μm GaAs pHEMT工艺研制了一款0.1～2.0 GHz的高线性度低噪声放大器芯片.针对偏置电压随电源波动的问题,提出一种新型的具有......
研究了不同厚度GaAs的通孔工艺,在以GaAs为衬底的加工工艺中,通孔工艺是GaAs的重要工艺,直接影响着器件的性能.阐述了目前GaAs厚度......
采用0.25μm PHEMT工艺技术,研制出了一款5~19GHz三级宽带微波单片(MMIC)功率放大器。从5~19GHz整个频段范围内,这款功放具有24dB......
本文介绍了C波段大功率GaAsMMIC的电路设计、结构以及单片的制作和性能测试分析等,经测试该单片性能在5.0～5.6GHz输出功率大于36dBm......
基于成熟的GaAs集成电路的设计和工艺技术,采用准确的控制电路模型,开发移动通讯用的GaAs MMIC单刀双掷开关芯片电路,电路拓扑采用......
光导开关作为一种新型固体开关,具有闭合时间短(ps量级)、时间抖动小、重复频率高、功率容量大、光电隔离等优势,脉冲功功率技术研......
目前,电路级单粒子效应仿真主要使用Hspice软件或者Hspice与Dessis的混合模拟仿真,但是GaAs HBT数字电路大多是在ADS中设计.本文使......
基于砷化镓场效应结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术和CMOS电荷泵技术，研制开发的射频开关无需外加隔直电容，具有插损低、隔......
本文主要回顾了聚光光伏发电系统的发展历程，分析了目前世界上的产业化现状，并对我国发展聚光光伏系统产业发展方向给出了建议。......
成立于1991年的富通公司是世界上率先研制和推广混合型光电电子式互感器的公司,自1992年与ABB在12位混合型光供电电子式电流互感器......
在高真空系统中，将C/n-GaAs和C/p-GaAs两种接触。电学测量表明两种接触均是强整流结，在偏压为±1V 时，它们的整流比分别大于10和10，以......
本文通过对850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器结构优化以及制作工艺的研究,研制出了满足实用要求的高性能的氧化限制型850nm VCSE......
在本篇文章中报导了一种新的GaAs合成技术.该技术是在惰性气体压力下,在准密封条件下,不使用BO,用高压合成法简便快捷地制备GaAs多......
利用GaAs湿法腐蚀各向异性的特点来形成BE结金属的自对准,对InGaP/GaAs HBT器件进行了研究.器件特征频率为40GHz(发射极面积为4μm......
本文简叙了砷化镓宽带单片电路的结构形式、CAD设计的过程以及单片的制作和性能测试等.其性能为:5-21GHz频段内,输出功率大于15dBm......
本文系统研究了离子注入n-GaAs材料的欧姆接触性质.采用非相干光快速合金化方法实现了AuGeNi/Au与Si注入掺杂n-GaAs之间性能良好的......
本文对欧姆接触的基本原理进行了简要的阐述;并对Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触进行了研究.结果表明接触在高温合金化......
采用GaAs集成电路的自主技术,开发移动通讯用的GaAs集成压控衰减器电路,衰减器电路采用T型结构,在0.9GHz,插入损耗小于2.8dB,最大......
GaAs基的GaInNAs材料及器件的研究是当前光电子领域前沿热门课题.本文将报道采用VG80H MKII MBE系统,在GaAs(100)衬底上生长高质量......
本文报导了GaAs基近红外RCE型发射器和接收器的实验结果,并对用相同生长结构的芯片制作发射器和接收器的可行性、兼容性及其优化进......
本文采用扫描X射线透射形貌技术(Lang法)研究了半绝缘砷化镓中的高密度位错的结构与分布,在没有特殊工艺措施的情况下,一般LEC法生......
本文探讨了SI GaAs单晶片的PL mapping均匀性与阈值电压均匀性的关系.初步认为,单晶片的PL mapping均匀性可以综合反映材料参数的......
