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第一性原理赝势法相关论文
溶胶—凝胶法制备ZnO掺杂导电薄膜的研究
ZnO是Ⅱ-Ⅵ族直接宽禁带化合物半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO薄膜以其优良的压电性能、透明导电性能......
学位
ZnO薄膜
溶胶-凝胶
第一性原理赝势法
掺杂
c轴取向
金属离子掺杂的ZnO第一性原理计算及透明导电薄膜制备研究
ZnO是Ⅱ-Ⅵ族直接带隙的宽禁带化合物半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO薄膜以其优良的压电性能、透明导......
学位
ZnO薄膜
第一性原理赝势法
能带结构
态密度
掺杂
溶胶-凝胶
C轴取向
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