c轴取向相关论文
硫属氧化物铋铜硒氧(BiCuSeO)是一种层状结构的p型半导体材料,具有极低的本征热导率,在中高温热电领域有着重要的应用前景。目前国......
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氧化锌(ZnO)是一种具有六方纤锌矿晶体结构的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。以其优良的物理特性，ZnO薄膜在众多领域得到了广泛的应用。......
本文探索了用脉冲激光沉积(PLD)技术生长LiNbO_3薄膜。以光波导和声表面波应用作为前提,硅基高质量c轴取向薄膜为目标,我们分别在S......
六角磁铅石钡铁氧体薄膜材料由于其具有优异的化学稳定性、较高的饱和磁化强度、较高的矫顽力以及高的垂直磁晶各向异性场而被视为......
氧化锌(ZnO)是一种新型的宽禁带Ⅱ-Ⅳ族化合物半导体材料,禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO薄膜具有优良的光学、电学性能......
采用LiNbO3单晶靶材,以激光脉冲沉积方法在六方GaN(0001)基片上沉积制备c轴取向的LiNbO3薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显......
在制备NbN/AlN/NbN隧道结的工艺过程中,为了获得具有优质单晶结构的NbN薄膜,我们在MgO(111)基片上探索了直流溅射法制备NbN薄膜的......
采用脉冲激光法 (PLD)在Si衬底上沉积Zn1 -xMgxO薄膜 .x射线衍射 (XRD)表明薄膜为c轴取向 ,(0 0 2 )峰的半高宽仅为 0 .2 11° ,且......
本文采用直流磁控反应溅射法,在单晶Si(110),Al/Si,Diamond/Si三种衬底上分别生长出了高度c轴取向的ZnO薄膜.此薄膜具有高质量的纳......
采用Sol-gel法,在普通载玻片上使用旋转涂覆技术生长了具有c轴择优取向生长的ZnO薄膜.用热分析、XRD、SEM等手段对薄膜样品进行了......
采用Sol-gel法，在普通载玻片和Si（100）上使用旋转涂覆技术制备了具有c轴择优取向生长的ZnO薄膜。利用XRD和SEM研究了衬底和热处理温度......
通过优化口模流场的拉伸应变速率，利用柱塞式挤出机（名义拉伸比为18.48），在低于聚丙烯（PP）熔点的145-155 ℃区间，固相挤出了自增强PP片材，......
采用单源化学气相沉积(SSCVD)法，在Si(100)基片上通过改变前驱反应体与基片的入射角度，获得了可控柱状取向的ZnO薄膜。研究发现，入射......
采用射频磁控溅射技术在SiO2／Si上淀积高C轴取向的ZnO薄膜，在氧气和氩气的混合气氛、不同温度（400～900℃）下进行快速热退火处理。利用X-......
本文采用直流磁控反应溅射法,在单晶S,(110),A1/Si,Diamond/Si三种衬底上分别生长出了高度c轴取向的ZnO薄膜.此薄膜具有高质量的纳......
探讨了高性能ZnO薄膜的制备工艺,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高阻仪对各种条件下制备的薄膜进行了表征分析.研究表明......
采用射频磁控溅射技术,用富Li的LiNbO3靶材在Si（100）和Si（111）基底上制备了LiNbO3薄膜.通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和X射线......
MFI型沸石分子筛,由于其具有较宽合成条件、合适均一的孔径、可修饰和改性的骨架和孔道系统,高的热稳定性、水热稳定性、化学稳定......
用溶胶-凝胶法在玻璃载玻片上制备Li∶ZnO薄膜, 涂膜采用旋涂法.薄膜通过二次涂膜而形成.用X射线衍射、原子力显微镜、扫描电镜和......
采用射频反应磁控溅射在蓝宝石(0001)衬底上沉积生长了掺杂Er的AlN薄膜。利用X线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜......
随着现代电子设备信息处理量的扩大,通信载波频率必须向更高的频段移动,声表面波(SAW)滤波器是现代无线移动通信系统的关键器件之......
以二水合醋酸Zn为原料,采用反应沉积方法在非晶玻璃衬底上制备出了高度c轴取向、结晶良好的ZnO薄膜.研究了不同衬底温度和Zn源温度......
本文采用脉冲激光沉积(PLD)法在Si衬底上生长c轴取向LiNbO3(LN)晶体薄膜,研究氧气压强对薄膜质量的影响.结果表明,氧压是生长c轴择......
农村偏远地区是我国经济发展较为薄弱地区,其电网基础设施普遍相对落后,传统电网不能覆盖全部区域,难以满足当地经济社会发展的需......
超导体/半导体结(Superconductor/semiconductor p-n junction)在制备场效应管,晶体管方面具有巨大的潜力.本文通过脉冲激光沉积的......
实验利用射频磁控溅射镀膜工艺,分别在光纤和石英玻璃上成功制备了ZnO薄膜.采用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计对薄膜......
LiNbO3因具有优异的电光、压电、非线性光学等特性,已被广泛应用于声表面波及集成光学器件中。制备集成光学器件常需将LiNbO3制成......
采用超声电化学沉积生长了C轴取向的ZnO薄膜，并与常规电化学沉积生长的ZnO薄膜进行了比较。采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、......
ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族直接带隙化合物材料，是一种很有潜力的短波长光电器件材料。当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时，可得......
本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜......
ZnO是一种新型的直接带隙的宽禁带半导体材料,在信息领域有着重要的应用。和GaN相比,ZnO薄膜具有生长温度低、激子束缚能高（60meV）等......
ZnO是一种新型的Ⅱ～Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料,与GaN具有相近的晶格常数和禁带宽度,作为一种短波长光电子器件的优良材料,ZnQ在光......
用固相反应法制备了掺Ag的和不掺Ag的YBCO烧结靶,X射线衍射对样品进行结构及相分析,结果表明,Ag掺杂可以降低靶材的烧结温度,更有......
在当今科技飞速发展的时代,人们所使用的通讯设备逐渐缩小,功能愈发强大与齐全,工作效率一再提高。这对电子元器件的要求越来越高,......
ZnO是Ⅱ-Ⅵ族直接宽禁带化合物半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO薄膜以其优良的压电性能、透明导电性能......
ZnO是Ⅱ-Ⅵ族直接带隙的宽禁带化合物半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO薄膜以其优良的压电性能、透明导......
采用直流磁控溅射法沉积了ZnO薄膜,以X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、原子力显微镜等手段对薄膜的晶体结构和微观相貌进行了分析,并对......
采用Sol—gel法，在普通载玻片上使用旋转涂覆技术生长了具有c轴择优取向生长的ZnO薄膜。用热分析、XRD、SEM等手段对薄膜样品进行了......
氧化锌（ZnO）作为一种新型的直接宽禁带氧化物半导体材料,近年来受到了研究者的广泛关注。室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV,这一特性使其......
利用脉冲激光沉积技术在SrTiO3单晶基片上制备了BiCuSeO薄膜并详细研究了沉积温度对薄膜晶体结构、微观形貌及热电输运性能的影响......
针对有效机电耦合系数（k2eff）的两种影响因素-薄膜体声波谐振器（FBAR）的电极/压电层厚度比与压电层薄膜的c轴取向,分别建立了厚度比可......
采用sol—gel法，在普通载玻片上使用旋转涂覆技术生长了具有c轴择优取向生长的Zn0薄膜。采用热分析、XRD、SEM等手段对薄膜样品进行......
